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J-GLOBAL ID:201702212413061989   整理番号:17A0758383

高LUMOレベルを持つイソナフタレンジイミド単位に基づく高分子電子受容体【Powered by NICT】

Polymer Electron Acceptors Based on Iso-Naphthalene Diimide Unit with High LUMO Levels
著者 (5件):
資料名:
巻: 218  号:ページ: ROMBUNNO.201600606  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0010A  ISSN: 1022-1352  CODEN: MCHPES  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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最低非占有分子軌道(LUMO)エネルギー準位(E_LUMO)は全高分子太陽電池(全てのPSC)の高分子電子受容体のための重要なパラメータである。1,4,5,8-ナフタレンジイミド(NDI)ユニットに基づく最先端高分子電子受容体は低準位E_LUMO,全てのPSCの低い開回路電圧(V_OC)を導くために悩まされている。この論文では,著者らは,1,2,5,6-ナフタレンジイミド(イソNDI)ユニットを用いて高位E_LUMOを有する高分子電子受容体のシリーズを開発した。それらの熱的,光学的,電気化学的,および電荷輸送特性を系統的に研究し,全てのPSCへの応用を検討した。イソNDI単位とビチオフェン単位をベースとする高分子は 3.50eVのE_LUMO,NDI単位(E_LUMO= 3.86eV)に基づく対応する重合体の0.36eVよりも高い値を示した。結果として,全てのPSCデバイスは0.30V V_OC増強を示した。電子供与体としてポリ(3 ヘキシルチオフェン)とこれらの高分子電子受容体の全てのPSCデバイスは,0.90VのV_OCと0.27%の電力変換効率を示した。これらの結果は,イソNDI単位は高いV_OC全てのPSCのための高分子電子受容体を設計するための有望な構築ブロックであることを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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高分子固体の物理的性質  ,  太陽電池 
タイトルに関連する用語 (3件):
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