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J-GLOBAL ID：201702212540894107   整理番号：17A1488530

多重グラフェン/h-BNヘテロ構造からの共鳴トンネル素子【Powered by NICT】

Resonant tunneling device from multiple graphene/h-BN heterostructures

著者 (6件)： Cabrera C.I. (Academic Unit of Physics, Autonomous University of Zacatecas, Czda. Solidaridad y Paseo La Bufa S/N, 98060, Zacatecas, Zac., Mexico) ,  Contreras-Solorio D.A. (Academic Unit of Physics, Autonomous University of Zacatecas, Czda. Solidaridad y Paseo La Bufa S/N, 98060, Zacatecas, Zac., Mexico) ,  Rodriguez C. (Faculty of Physics, University of Havana, Colina Universitaria, 10400, La Habana, Cuba) ,  Enciso A. (Academic Unit of Physics, Autonomous University of Zacatecas, Czda. Solidaridad y Paseo La Bufa S/N, 98060, Zacatecas, Zac., Mexico) ,  Hernandez L. (Academic Unit of Physics, Autonomous University of Zacatecas, Czda. Solidaridad y Paseo La Bufa S/N, 98060, Zacatecas, Zac., Mexico) ,  Hernandez L. (Faculty of Physics, University of Havana, Colina Universitaria, 10400, La Habana, Cuba)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 109  ページ： 599-604  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル電流は垂直グラフェン/h-BNヘテロ構造素子における増幅されるかを示した。グラフェン層のドーピング濃度がDirac点を裏打ちするように設計された,大きな共鳴トンネル電流を達成することである。ヘテロ構造の電流-電圧特性の解析的および数値解析的表式を導出した。トンネル電流の両方にヘテロ構造と回転整列の効果を検討した。層の間の遷移速度はDirac点より上の状態のための大きいことが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 数値解析 ,  *共鳴 ,  多重化 ,  電流 ,  *グラフェン ,  トンネル効果
準シソーラス用語： Dirac点 ,  トンネル電流 ,  *共鳴トンネル素子 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： グラフェン/h-BNヘテロ構造 ,  逐次トンネリング ,  共鳴トンネルデバイス

分類 (4件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多重 ,  グラフェン ,  h-BN ,  ヘテロ構造 ,  共鳴トンネル素子