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J-GLOBAL ID：201702212669454643   整理番号：17A0399656

大格子パラメータペロブスカイト単結晶基板【Powered by NICT】

Large-lattice-parameter perovskite single-crystal substrates

著者 (11件)： Uecker Reinhard (Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489 Berlin, Germany) ,  Bertram Rainer (Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489 Berlin, Germany) ,  Bruetzam Mario (Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489 Berlin, Germany) ,  Galazka Zbigniew (Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489 Berlin, Germany) ,  Gesing Thorsten M. (University of Bremen, Solid State Chemical Crystallography, Institute of Inorganic Chemistry and Crystallography /FB02, Leobener Str. /NW2 and MAPEX Center for Materials and Processes, Bibliothekstrasse 1, D-28359 Bremen, Germany) ,  Guguschev Christo (Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489 Berlin, Germany) ,  Klimm Detlef (Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489 Berlin, Germany) ,  Klupsch Michael (Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489 Berlin, Germany) ,  Kwasniewski Albert (Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489 Berlin, Germany) ,  Schlom Darrell G. (Department of Materials Science and Engineering, Cornell University, Ithaca, NY 14853-1501, USA) ,  Schlom Darrell G. (Kavli Institute at Cornell for Nanoscale Science, Ithaca, NY 14853, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 457  ページ： 137-142  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 擬二元系LaLuO_3 LaScO_3は4Å以上の擬立方晶格子定数を持つ新しいペロブスカイト型基板を発見の期待して検討した。タイプ(LaLuO_3)1-(LaScO_3)の完全な固溶体が端成分LaLuO_3とLaScO_3間に形成,(LaLuO_3)1-(LaScO_3)の大きな単結晶を可能にする融液から成長させたであった。(x≒0.34)単結晶を実証した。この固溶体のCzochralski成長のための適切なイリジウムるつぼの最大熱負荷を考慮して,理論的に達成可能な最大x値は~0.67であった。決定した相図に基づいて,擬立方晶格子定数4.09と4.18Åの間の単結晶をCzochralski法によりこの系で成長させることができることが予想される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱負荷 ,  *単結晶 ,  状態図 ,  イリジウム ,  Czochralski法 ,  固溶体 ,  坩堝 ,  *格子定数
準シソーラス用語： 融液 ,  端成分 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1の結晶構造 ,  A1相図:A1基質 ,  A2Czochralski法 ,  B1ペロブスカイト ,  B1希土類化合物

分類 (1件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 格子パラメータ ,  ペロブスカイト ,  単結晶基板