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J-GLOBAL ID：201702212676227152   整理番号：17A1636991

95GHzで16.8%の23dBmでPEAのP_satを用いたWバンドSiGe電力増幅器【Powered by NICT】

A W-band SiGe power amplifier with P_sat of 23 dBm and PAE of 16.8% at 95GHz

著者 (2件)： Chappidi Chandrakanth R. (Electrical Engineering, Princeton University, USA) ,  Sengupta Kaushik (Electrical Engineering, Princeton University, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMS  ページ： 1699-1702  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,86.6~103.3GHzの3dB小信号帯域幅をもつ0.13μm SiGe BiCMOSプロセスにおける二重積層四方法複合Wバンド電力増幅器(PA)を提示した。このチップは85105GHzの21dBm以上のP_satで95GHzで16.8%のピークPAEで23dBmの飽和出力(P_sat)を達成した。著者の知識の及ぶ限りでは,これは23dBm以上の出力パワーを持つこれらの周波数でのシリコンベースのPAについて報告された最高の効率である。本論文では,12Gbpsまでのデータ速度とWバンドにおける配置方式QPSK,16-QAMおよび64-QAMの変調測定を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 帯域幅 ,  *電力増幅器 ,  周波数
準シソーラス用語： データレート ,  SiGe BiCMOS ,  *シリコンゲルマニウム ,  *Wバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： PEA ,  Wバンド ,  SiGe ,  電力増幅器