文献

J-GLOBAL ID：201702212695776827   整理番号：17A0998662

高分子選別された半導性カーボンナノチューブを用いた低コストの金属電極を用いた有機電界効果トランジスタにおける改善された両極性電荷注入【Powered by NICT】

Improved ambipolar charge injection in organic field-effect transistors with low cost metal electrode using polymer sorted semiconducting carbon nanotubes

著者 (4件)： Lee Seung-Hoon (Department of Nanobio Materials and Electronics, School of Materials Science and Engineering, Heeger Center for Advanced Materials, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), 261 Cheomdan-gwagiro, Buk-gu, Gwangju, 500-712, Republic of Korea) ,  Lee Seung-Hoon (Department of Energy and Materials Engineering, Dongguk University, 26 Pil-dong, 3-ga, Jung-gu, Seoul, 100-715, Republic of Korea) ,  Kim Dong-Yu (Department of Nanobio Materials and Electronics, School of Materials Science and Engineering, Heeger Center for Advanced Materials, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), 261 Cheomdan-gwagiro, Buk-gu, Gwangju, 500-712, Republic of Korea) ,  Noh Yong-Young (Department of Energy and Materials Engineering, Dongguk University, 26 Pil-dong, 3-ga, Jung-gu, Seoul, 100-715, Republic of Korea)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 46  ページ： 28-34  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液処理薄膜トランジスタを簡単で低コストの作製を用いて実行でき,ウェアラブルエレクトロニクスの範囲への応用による商業化のための最良の候補である。安価なソース-ドレイン電極を持つ有機電界効果トランジスタ(OFET)に正孔及び電子注入を改善できることを両極性電荷注入中間層を報告した。溶液処理された両極性注入層はポリ(9,9 ジオクチルフルオレン)を用いた半導体単層カーボンナノチューブの選択的分散により作製した。モリブデン(Mo)接触と中間層(Mo/interlayer OFET)を持つOFETは,裸のトランジスタのものよりも優れた性能,より高い正孔及び電子移動度を含むデバイス収率,低いしきい値電圧,および低いトラップ密度を示した。Mo接触を持つOFETは単極p型挙動を示したが,Mo/interlayer OFETsは電子注入のかなりの増加により両極性輸送を示した。p型領域では,トランジスタ性能は,金(Au)を備えた素子に匹敵した。正孔移動度はMo接触を持つ素子に比べて約十倍増加した。Mo/interlayer OFETの電子移動度は0.05cm~2V~ 1s~ 1はAu電極をもつ素子よりも高かった。Mo/interlayer OFETのp型接触抵抗はMo接触を持つOFETの半分であった。Mo/interlayer OFETにおけるトラップ密度は元の素子のそれよりも1桁低かった。もこの方法は他の金属(ニッケル)と異なるエネルギー準位を持つn型半導体へ拡張することが出来ることを示した。トンネリングによる注入は,同時二極性注入の機構として提案されている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *金 ,  モリブデン ,  接触抵抗 ,  *極性 ,  半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  正孔 ,  *キャリア注入
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  閾値電圧 ,  電子移動度 ,  中間層 ,  電子注入 ,  溶液処理 ,  *両極性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 有機電界効果トランジスタ ,  カーボンナノチューブ ,  共役重合体 ,  電荷注入 ,  中間層 ,  接触抵抗

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高分子 ,  選別 ,  半導性 ,  カーボンナノチューブ ,  金属電極 ,  有機電界効果トランジスタ ,  両極性 ,  電荷注入