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J-GLOBAL ID:201702212826030721   整理番号:17A0500420

GdとYbの置換チオフェノラート中のLMCT促進室温リン光およびエネルギー移動

LMCT facilitated room temperature phosphorescence and energy transfer in substituted thiophenolates of Gd and Yb
著者 (11件):
資料名:
巻: 46  号:ページ: 3041-3050  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0270A  ISSN: 1477-9226  CODEN: DTARAF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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低エネルギーLMCT状態の発光性ランタニド錯体を得るために,2-(2′-メルカプトフェニル)ベンゾチアゾラート,Ln(SSN)3と2-(2′-メルカプトフェニル)ベンゾオキサゾラート,Ln2(OSN)6(Ln=Gd,Yb)が,アミド類Ln[N(SiMe3)2]3のそれぞれのチオフェノール類との反応によって合成された。イッテルビウム錯体は,X線回折分析によって構造的に特性化された。サイクリックボルタンメトリーは,脱プロトン化メルカプトフェニル配位子が,これらのフェノキシ類縁体といくつかのβ-ジケトン類よりも顕著に低い酸化電位を持つことを明らかにした。GdとYb化合物の光物理特性は,溶液と固体状態の両方で調べられた。溶液中の化合物の蛍光スペクトルは,配位子のケト型とエノール型のバンドを示す。有機部からのYb3+へのエネルギー移動は,両方のYb錯体の溶液中で検出されなかったのに対し,固体状態で強い金属中心発光が近赤外領域で検出された。固体Gd化合物は,OSNとSSN配位子の還元性によって促進される異常に効率的な項間交差に起因する室温リン光を示した。固体のYb2(OSN)6とYb(SSN)3で生じる増感過程を説明するために,配位子-金属間電荷移動による特定の非共鳴型エネルギー移動の機構が提案された。Yb誘導体に基いて,860 μW cm-2の最大の放射照度を有するNIR-発光OLEDsが得られた。これらのGd対応物は,ドープ発光層を含む素子中で(最大で1350 cd m-2)の高輝度の電気りん光を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
第3族元素の錯体  ,  錯体のルミネセンス  ,  発光素子 

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