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J-GLOBAL ID:201702212830297721   整理番号:17A1606806

BaZrO3修飾(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3セラミックスの相転移と巨大な電界誘起歪

Phase transition and huge field-induced strain of BaZrO3 modified (Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3 ceramics
著者 (12件):
資料名:
巻: 28  号: 19  ページ: 14664-14671  発行年: 2017年10月 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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2段階焼結法によって,鉛フリー強誘電体セラミックス(1-x)[0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3]-xBaZrO3(BNBT-xBZ,0≦x≦0.05)を調製し,相構造,マイクロモフォロジー及び電気機械歪みに及ぼすBZドーピングの影響を系統的に調べた。BNBT-0.03BZは,室温で55kV/cmの中程度の電界において,0.33%の高い歪みと600pm/Vの大きなd33*を特徴とする顕著な歪挙動と32.31%の比較的低いヒステリシスを示す。そして,印加電界を90kV/cmと高くでき,このことは応用に有利である。この優れた特性は,相転移に起因する。x=0.03の時,菱面体晶強誘電体相と正方晶反強誘電体相が,適切な比率で共存する。印加電界の増加と共に,反強誘電体-強誘電体相転移が発生し,大きな歪が発生する結果となる。この結果から,BZは,BNBTセラミックスの電気機械特性を向上させる効果的な化学改質材であることが実証される。従って,BNBT-BZシステムは,環境に優しい固体アクチュエータデバイス中に適用される鉛フリー材料の新しくて有望な候補であると期待される。
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分類 (1件):
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セラミック・磁器の性質 

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