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J-GLOBAL ID:201702212872146118   整理番号:17A0500237

ホスフィン合成ルートによって調製される高発光性のコア-シェルInP/ZnX(X=S,Se)量子ドット

Highly luminescent core-shell InP/ZnX (X = S, Se) quantum dots prepared via a phosphine synthetic route
著者 (5件):
資料名:
巻: 46  号:ページ: 1297-1303  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0270A  ISSN: 1477-9226  CODEN: DTARAF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究で筆者らは,高発光性のコア-シェルInP/ZnX(X=S,Se)量子ドット(QDs)のホスフィン合成ルートに基づく単純な合成法を報告する。この方法で,ZnXシェルの生成を促進するIn(Zn)P合金構造を形成するために,Zn前駆体が,合成のはじめの反応混合物に添加された。コア-シェルInP/ZnX QDsは,非常に強い発光を50%以上の量子収率と共に示す。本法は,実際的応用で本質的に重要である。広範に利用されるSILAR法と比べて本法の長所が議論される。筆者らは,特殊の賦活剤の添加,又は非常に活性の前駆体の利用を伴わずに予め調製された非ドープInPコロイドナノ粒子へのZnとカルコゲン前駆体の連続添加からなるSILAR法が,シェルの成長にまったくふさわしくないことをさらに実証する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (2件):
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塩  ,  半導体のルミネセンス 

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