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J-GLOBAL ID:201702212920084914   整理番号:17A0884335

個々のZnO Ga_2O_3ヘテロ構造に基づく超高応答性(9.7 mA W~ 1)自己出力型ソーラブラインド光検出器【Powered by NICT】

An Ultrahigh Responsivity (9.7 mA W-1) Self-Powered Solar-Blind Photodetector Based on Individual ZnO-Ga2O3 Heterostructures
著者 (7件):
資料名:
巻: 27  号: 17  ページ: ROMBUNNO.201700264  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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高度に結晶化したZnO Ga_2O_3コア-シェルヘテロ構造マイクロワイヤを簡単な一段階化学蒸着法により合成し,266nmでの鋭いカットオフ波長を有する自己作動形ソーラブラインド(200 280 nm)光検出器に構築した。デバイスは,零バイアス下で6.9×10~2の高い紫外/可視除去比(R_251nm/R_400nm)で251nmでの超高応答性(9.7 mA W~ 1)を示した。自己パワー供給型素子は100μsより短い立ち上がり時間をもつ素早い応答速度と減衰時間900μsであった。超高応答性,高UV/可視拒絶比,および高速応答速度は,実用的な自己出力型ソーラブラインド検出に高度に適している。Additinoally,この微細構造ヘテロ接合設計方法は,高性能自己出力型光検出器を実現するための新しいアプローチを提供するであろう。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (5件):
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医用素材  ,  セラミック・陶磁器の製造  ,  高分子固体の物理的性質  ,  半導体の結晶成長  ,  分析機器 

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