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J-GLOBAL ID：201702212954675963   整理番号：17A1955658

Operando硬X線光電子分光法による金属/HfO₂ゲート積層構造におけるバイアス依存性電位分布の直接的な観察

Direct observation of bias-dependence potential distribution in metal/HfO₂ gate stack structures by operando hard x-ray photoelectron spectroscopy

著者 (3件)： YAMASHITA Yoshiyuki (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  YOSHIKAWA Hideki (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  CHIKYOW Toyohiro (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名： Program/Abstracts of ISSS (CD-ROM)  (Program/Abstracts of ISSS (CD-ROM))
巻： 8th  ページ： ROMBUNNO.6pA2-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： L8395B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,  制御 ,  ゲート回路 ,  電気工学 ,  電子技術 ,  *白金 ,  *ルテニウム ,  *酸化ハフニウム ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  積層構造 ,  *界面 ,  バイアス ,  電圧依存性 ,  *電位分布 ,  *X線光電子分光法 ,  硬X線 ,  Fermi準位 ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： ゲーティング ,  シリカ ,  ピン止め制御 ,  *固固界面 ,  *硬X線光電子分光

分類 (4件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 硬X線光電子分光 ,  HfO2 ,  ゲート ,  積層構造 ,  バイアス依存性 ,  電位分布 ,  観察