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J-GLOBAL ID：201702212974514312   整理番号：17A0914270

AlGaN/GaNに基づく高効率マイクロ波電力増幅器【Powered by NICT】

High efficiency microwave power amplifier based on AlGaN/GaN

著者 (2件)： Kirillov Vitaliy (Department of Microelectronics and Radio Engineering, St. Petersburg Electrotechnical University “LETI”, St. Petersburg, Russia) ,  Turalchuk Pavel (Department of Microelectronics and Radio Engineering, St. Petersburg Electrotechnical University “LETI”, St. Petersburg, Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EIConRus  ページ： 306-308  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,AlGaN/GaN技術に基づくマイクロ波電力増幅器の合成のための設計手法について検討した。電力増幅器の効率を増加させるために,論文では,高調波インピーダンス整合回路網の設計に焦点を当てた。結果として,30Wの出力パワーの操作が可能である0.25×125μmゲートを有するAlGaN/GaNヘテロ接合H EMTトランジスタに基づいており,9GHzで34%の電力付加効率を提供する電力増幅器を設計し,作製し,測定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力付加効率 ,  *電力増幅器 ,  ヘテロ接合 ,  高調波 ,  トランジスタ ,  インピーダンス
準シソーラス用語： 整合回路網 ,  設計手法 ,  *マイクロ波電力増幅器 ,  *高効率 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  GaN ,  高効率 ,  マイクロ波電力増幅器