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J-GLOBAL ID:201702213168932887   整理番号:17A1209543

自立鉛フリーPVDF系複合膜の結晶化速度論と誘電特性の向上【Powered by NICT】

Crystallization kinetics and enhanced dielectric properties of free standing lead-free PVDF based composite films
著者 (9件):
資料名:
巻: 121  ページ: 88-96  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0472B  ISSN: 0032-3861  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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機械的に柔軟な重合体と誘電セラミック充填剤を統合した強誘電複合材料は,フレキシブルな電子応用のため有望な材料である。研究の多くは複合材料の向上した誘電及び強誘電特性を示した。しかし,これらの増強の原因となる機構は完全には理解されていない。ここでは,典型的な誘電体材料,ポリ(フッ化ビニリデン)(PVDF)とBaTiO_3(BTO)を用いて,PVDFの結晶化,相変態および誘電特性に及ぼす誘電フィラーの影響を調べた。β-PVDFの結晶化はBTO粒子の存在により影響を受けなかったが,少量のBTO(<3vol%)したPVDFのはより大きな球晶に結晶化した。これは結晶化速度論的研究,その含有量が1vol%以下であった場合には,BTOは,大きい完全な環バンド状球晶の核形成剤として作用することを示したと関連している。さらに,BTO粒子の存在下での固体状態延伸は,高い延伸温度(120 °C)でより顕著な優先結晶配向したβ-PVDFの形成を促進した。誘電及び強誘電特性は,BTOを充填した増強された。100°C配向延伸PVDFテープは誘電率14(100 Hz)0.080C/m~2(10 Hz)の残留分極,これは5vol%BTOを充填後23および0.095C/m~2に増加し,それぞれ,を示した。高誘電損失正接(~ 0.02)も明確な電流漏れがなかった。さらに,保磁力はBTO含有量を0から0~5vol%の80~50kV/mmに減少した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
高分子固体の物理的性質  ,  高分子固体の構造と形態学 

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