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J-GLOBAL ID：201702213276060909   整理番号：17A0911184

ナノカーボン膜におけるパルスによるレーザ観測により変調された不揮発性抵抗効果【Powered by NICT】

Nonvolatile Resistance Effect Modulated by Pulse With Laser Observed in Nano-Carbon Film

著者 (6件)： Gan Z. K. (Department of Physics and Astronomy, and the Key Laboratory of Thin Film and Nano-microfabrication Technology of the Ministry of Education, State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Zhou P. Q. (Department of Physics and Astronomy, and the Key Laboratory of Thin Film and Nano-microfabrication Technology of the Ministry of Education, State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Huang X. (Department of Physics and Astronomy, and the Key Laboratory of Thin Film and Nano-microfabrication Technology of the Ministry of Education, State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Mei C. L. (Department of Physics and Astronomy, and the Key Laboratory of Thin Film and Nano-microfabrication Technology of the Ministry of Education, State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Hu J. Q. (Department of Physics and Astronomy, and the Key Laboratory of Thin Film and Nano-microfabrication Technology of the Ministry of Education, State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Wang H. (Department of Physics and Astronomy, and the Key Laboratory of Thin Film and Nano-microfabrication Technology of the Ministry of Education, State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 5  ページ： 560-563  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザパルスにより変調された不揮発性抵抗効果がナノカーボン-酸化物-半導体構造で観察された。レーザ照明による短電圧パルスを適用することにより,構造の水平抵抗は永続的に変化させることができる。抵抗変化比は65%までに達することができた。より興味深いことに,効果は異なる照明スポットと電圧方向で極性を示した。この現象は,レーザ溶接およびパルス変調抵抗器,スイッチ,センサの開発に有用であるにおけるレーザ誘起電子のトラッピング効果に帰着される。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *非揮発性 ,  パルス変調 ,  照明 ,  電圧 ,  レーザパルス ,  抵抗器 ,  *パルス ,  極性 ,  酸化物 ,  スイッチ ,  *レーザ ,  レーザ溶接 ,  半導体
準シソーラス用語： パルス電圧 ,  *ナノカーボン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： カーボン膜 ,  パルス ,  レーザ ,  観測 ,  変調 ,  不揮発性