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J-GLOBAL ID：201702213286492326   整理番号：17A1570331

統合ナノチャネルを持つSiチップ:自己加熱と自己電流制限電界電子エミッタ【Powered by NICT】

Si tip with integrated nano-channel: Self-heated and self-current-limited field electron emitter

著者 (7件)： Huang Zhijun (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Huang Yifeng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Pan Zhangxu (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  She Juncong (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Deng Shaozhi (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Chen Jun (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Xu Ningsheng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IVNC  ページ： 98-99  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 個別に集積したナノチャネルを持つSiチップの特徴電界電子エミッタを報告した。均一集積デバイスを作製するために開発した合理的方法。Siナノチャネルは電流と熱流の両方を制限する可能性がある。ナノチャネルの熱抵抗は,チップ頂点での熱蓄積を生じ,熱支援電界電子放出を誘導した。電流抵抗の負のフィードバック効果を,短パルス電流「疾走(runaway)」を抑制し,安定性と信頼性を向上させることができる。自己加熱と自己電流制限集積デバイスはより高い電流密度放出と良好な素子信頼性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  *電流 ,  電界放出 ,  *電流制限 ,  電流密度 ,  熱流 ,  負帰還 ,  *電場 ,  熱抵抗 ,  *ケイ素 ,  蓄熱
準シソーラス用語： パルス電流 ,  *自己加熱 ,  *シリコンチップ ,  *ナノチャネル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 統合 ,  ナノチャネル ,  Siチップ ,  自己加熱 ,  自己 ,  電流制限 ,  電界 ,  電子エミッタ