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J-GLOBAL ID：201702213338650734   整理番号：17A1462274

高感度自己出力型UV検出応用のためのマイクロ波支援化学浴堆積によるZnOナノロッドの合成【Powered by NICT】

Synthesis of ZnO nanorods by microwave-assisted chemical-bath deposition for highly sensitive self-powered UV detection application

著者 (6件)： Husham M. (Institute of Advanced Technology (ITMA), Universiti Putra Malaysia, Malaysia) ,  Hamidon Mohd Nizar (Institute of Advanced Technology (ITMA), Universiti Putra Malaysia, Malaysia) ,  Paiman S. (Department of Physics, Universiti Putra Malaysia, Malaysia) ,  Abuelsamen A.A. (Institute of Nano-Optoelectronics Research (INOR), Universiti Sains Malaysia, Malaysia) ,  Farhat O.F. (Institute of Nano-Optoelectronics Research (INOR), Universiti Sains Malaysia, Malaysia) ,  Al-Dulaimi Ahmed A. (Malaysian Institute of Chemical & Bio-Engineering Technology (MICET), Universiti Kuala Lumpur (UniKL), Malaysia)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 263  ページ： 166-173  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ波支援化学浴析出によるシードシリコン基板p-Si(100)上に成長させた高品質の垂直整列酸化亜鉛(ZnO)ナノロッド。構造及びモルフォロジー分析では,(002)面の方向にc軸に沿って基板に垂直な六方晶ウルツ鉱型ナノロッドを明らかにした。光学測定は低広い可視ピークを持つ高強度UVピークを示した。UV発光はI_IUV/_可視比53の可視発光と比較した。金属-semiconductor-金属ベースUV検出器は,ZnOナノロッド表面上への二金属接触を堆積することにより作製した。電流-電圧測定は,自己出力特性を持つ高感度デバイスを明らかにした。零印加バイアスで,作製した素子は,UV電流と暗電流の間の有意差を示した。デバイスは,外部バイアスなしで低電力(1.5mW/cm~2)365nm光パルスに対する304×10~4の感度を示した。光応答測定は10msの高速応答とベースライン回復時間を用いて作製したUV検出器の高度に再現性のある特性を示した。零電力消費を持つ高速応答,高感光性UV検出器を作製する簡単で低コストの方法を導入した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *マイクロ波 ,  検出器 ,  光学的測定 ,  モルフォロジー ,  暗電流 ,  酸化亜鉛 ,  *高感度 ,  再現性 ,  発光 ,  *ナノロッド ,  紫外線 ,  バイアス
準シソーラス用語： 高速応答 ,  光応答 ,  *UV検出 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnO ,  Nanorods ,  マイクロ波CBD ,  高感度 ,  UV光検出器

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高感度 ,  自己 ,  UV検出 ,  応用 ,  マイクロ波 ,  支援 ,  化学浴堆積 ,  ZnOナノロッド