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J-GLOBAL ID:201702213351672472   整理番号:17A0445411

接合ZnS/CdS/CdTe傾斜バンドギャップ太陽電池の電子特性の研究【Powered by NICT】

Investigating the electronic properties of multi-junction ZnS/CdS/CdTe graded bandgap solar cells
著者 (4件):
資料名:
巻: 191  ページ: 145-150  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0934A  ISSN: 0254-0584  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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多重接合傾斜バンドギャップ太陽電池の製作II-VI族からの三つの二元化合物半導体を電気めっきすることにより成功裏に実施された。電気めっき技術により成長させた三つの半導体材料は,ZnS,CdSおよびCdTe薄膜である。三つの半導体の電気伝導率タイプとエネルギーバンドギャップはそれぞれ光電気化学(PEC)電池測定とUV-Vis分光法を用いて決定した。PEC電池の結果は,全ての三個の半導体材料はn型電気伝導率を持つことを示した。デバイス結果,解析と解釈のための適切なエネルギーバンドダイアグラムを確立するためにこれら二つの材料特性評価法を考察した。素子構造glass/FTO/n ZnS/n CdS/n CdTe/Au太陽電池を,電流-電圧(I V)と容量-電圧(C V)技術を用いて作製し,特性化した。I-V特性測定から,AM1.5照明条件下で室温で測定した時,作製した素子構造は0.46の670mVの開回路電圧(V),41.5mA cm~ 2の短絡電流密度(J)と曲線因子(FF)を得た~12.8%の効率をもたらした。素子構造は1.88の10~4.3と理想因子(n)の優れた整流因子(RF)を示した。C-V測定から得られた結果は,デバイス構造は中程度のドーピングレベル5.2×10~15cm~ 3であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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分子化合物  ,  高分子固体の物理的性質 

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