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J-GLOBAL ID：201702213434014892   整理番号：17A0370184

水媒介閉空間気相輸送エピタクシーにより成長させたpn接合GaAs太陽電池の性能を制限する欠陥の解析【Powered by NICT】

Analysis of performance-limiting defects in pn junction GaAs solar cells grown by water-mediated close-spaced vapor transport epitaxy

著者 (4件)： Boucher J.W. (Department of Physics, University of Oregon, Eugene, OR 97403, USA) ,  Greenaway A.L. (Department of Chemistry and Biochemistry, University of Oregon, Eugene, OR 97403, USA) ,  Egelhofer K.E. (Department of Chemistry and Biochemistry, University of Oregon, Eugene, OR 97403, USA) ,  Boettcher S.W. (Department of Chemistry and Biochemistry, University of Oregon, Eugene, OR 97403, USA)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 159  ページ： 546-552  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 前駆体と基質費用は,現在,大規模生産のためのIII-V太陽電池の採用を制限している。ここでは,水を介した近接気相輸送(CSVT)を用いて高価な気相前駆体の代替としてプレスGaAs粉末とホモ接合GaAsデバイスを生成した。これらの非不動態化デバイスはV_Voc>910mVに達し,光起電素子のためのIII-Vエピタキシャル膜の成長のための代替法としてCSVTの妥当性を実証した。吸収体膜のZnドーピングは単一源,代替輸送剤を示唆することを用いた成長サイクル数は,p型ドーピングについても調べなければならない後減少することを見出した。これらの太陽電池の性能は,源材料と成長中の酸化物相の形成からの粒子移動によって引き起こされることが分かった巨視的表面欠陥の形成によって制限される。は,これらの欠陥を軽減し,デバイス性能を改善するための戦略を提示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 表面欠陥 ,  不動態化 ,  *ヒ化ガリウム ,  亜鉛 ,  *気相 ,  光起電素子 ,  *太陽電池 ,  *エピタクシー ,  前駆体 ,  *PN接合 ,  吸収体 ,  基質 ,  p型ドーピング ,  エピタキシャル膜 ,  改変
準シソーラス用語： ホモ接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaAs太陽電池 ,  閉管気相輸送 ,  エピタクシー ,  ホモ接合

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (12件)： 水 ,  閉空間 ,  気相 ,  輸送 ,  エピタクシー ,  成長 ,  PN接合 ,  GaAs ,  太陽電池 ,  制限 ,  欠陥 ,  解析