文献

J-GLOBAL ID：201702213467774321   整理番号：17A1527096

SOIマイクロリング共振器に基づく表面平滑化研究【JST・京大機械翻訳】

Research of Smoothing Surface Based on Silicon-on-Insulator Microring Resonators

著者 (4件)： Su Ying (中北大学,電子測試技術国家重点実験室,儀器科学与動態測試教育部重点実験室,山西太原 030051) ,  Zhao Xuefeng (中北大学,電子測試技術国家重点実験室,儀器科学与動態測試教育部重点実験室,山西太原 030051) ,  Zhang Zhidong (中北大学,電子測試技術国家重点実験室,儀器科学与動態測試教育部重点実験室,山西太原 030051) ,  Yan Shubin (中北大学,電子測試技術国家重点実験室,儀器科学与動態測試教育部重点実験室,山西太原 030051)
資料名： Yibiao Jishu yu Chuanganqi  (Yibiao Jishu yu Chuanganqi)
号： 1  ページ： 126-129  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2449A  ISSN： 1002-1841  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： シリコン導波路の粗い側壁によって引き起こされる散乱損失は,SOIマイクロリング共振器の伝送性能に影響を及ぼす主な因子であり,熱酸化によってMEMS技術によって調製された微小共振器の粗い側壁の表面を滑らかに修飾することができる。結合実験を用いて、その伝送性能を測定し、同時に熱酸化温度とマイクロリング共振器の伝送特性との関係を分析した。実験結果により,1000°Cの温度で,シリコン導波路の粗い側壁の改善効果は,明白であり,そして,マイクロリング共振器は,良好な結合効率および高いQ値を持ち,そして,Q値は,1.2×104に達した。実験結果は,シリコン導波路センサの表面平滑化の研究のための重要な参照を提供した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ケイ素 ,  MEMS ,  導波路 ,  微小共振器 ,  Q値 ,  散乱 ,  伝送特性 ,  *平滑化 ,  センサ ,  熱酸化
準シソーラス用語： 結合効率 ,  *マイクロリング共振器 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： micro-electro-mechanical-system ,  silicon-on-insulator ,  microring resonator ,  thermal oxidation ,  quality factor ,  trans-mission loss ,  side wall roughness

分類 (3件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  共振器  (NC04050Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： SOI ,  マイクロリング共振器 ,  平滑化 ,  研究