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J-GLOBAL ID：201702213556138715   整理番号：17A1335204

ZnO/Cu2O光起電力デバイスの性能のシミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】

Simulation Study on Performance of ZnO/Cu2O Photovoltaic Devices

著者 (4件)： Deng Quanrong (等離子体化学与新材料湖北省重点実験室(武漢工程大学),湖北武漢430205;河南省低tan及環境材料国際聯合実験室(鄭州大学),河南鄭州450001) ,  Li Yiqi (等離子体化学与新材料湖北省重点実験室(武漢工程大学),湖北武漢,430205) ,  Chen Lian (等離子体化学与新材料湖北省重点実験室(武漢工程大学),湖北武漢,430205) ,  Wang Shenggao (等離子体化学与新材料湖北省重点実験室(武漢工程大学),湖北武漢,430205)
資料名： Wuhan Gongcheng Daxue Xuebao  (Wuhan Gongcheng Daxue Xuebao)
巻： 39  号： 2  ページ： 158-163  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3636A  ISSN： 1674-2869  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： n-ZnO/p-Cu2Oヘテロ接合光起電力デバイスの内部動作機構と光電気効率に影響する主な要因を理解するために,ZnO/Cu2Oヘテロ接合デバイスの光起電力性能を,AMPS-1D光起電力素子シミュレーションソフトウェアを用いて研究した。ZnOの厚さとドナー濃度、Cu2O厚さとアクセプタ濃度、背面電極の金属仕事関数を調節することによって、デバイスの出力性能に対して計算と分析を行った。結果により、ZnOドナー濃度が1×1019cm-3、厚さが200nm、Cu2Oが主濃度が1×1019cm-3、厚さが9500nm、背面電極の仕事関数が4.8eVより高い時、デバイスの光電変換効率は16.9%に達することが明らかになった。Cu2O中での欠陥の増加とZnO/Cu2O界面における界面欠陥の増加により,デバイス性能に及ぼす欠陥の影響を計算し,解析した。Cu2O層の欠陥濃度が1×1017cm-3より高い場合、界面欠陥濃度が1×1012cm-2より高い場合、デバイスの光電変換効率がひどく減衰し、Cu2O体の欠陥と界面欠陥の低減がデバイス効率を向上させる鍵であることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  界面 ,  ヘテロ接合 ,  *酸化亜鉛 ,  仕事関数 ,  ドナー ,  *光起電素子 ,  *光起電力 ,  アクセプタ
準シソーラス用語： 界面欠陥 ,  光電変換効率 ,  裏面電極 ,  シミュレーションソフトウェア ,  光電気 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： analysis of microelectronic and photonic structures-one dimensional ,  n-ZnO/p-Cu2O heterojunction ,  body defects ,  interface defects ,  photovoltaic devices

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnO ,  Cu2O ,  光起電力デバイス ,  シミュレーション ,  研究