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J-GLOBAL ID：201702213579515596   整理番号：17A1420398

Z形グラフェンナノリボン量子ドットにおけるエッジ状態の空格子点誘起シフト【Powered by NICT】

Vacancy-induced shifts of edge states in Z-shaped graphene nanoribbon quantum dot

著者 (2件)： Kihira Kazuma (Graduate School of Engineering, Gifu University, 1-1 Yanagido, Gifu 501-1193, Japan) ,  Aoki Masato (Graduate School of Engineering, Gifu University, 1-1 Yanagido, Gifu 501-1193, Japan)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 94  ページ： 208-215  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Z形グラフェンナノリボン接合の準一次元量子ドットから成る量子ドットの長さに依存して量子閉じ込め効果によるバンドギャップの離散エッジ状態を作ることが知られている。量子ドット内の炭素空孔を導入することによるミッドギャップ状態の変化の可能性を調べるために,密度汎関数ベース強結合手法を用いて,π電子に対する簡単なタイトバインディングモデルを用いて欠陥系のバンド構造を計算した。その中心的結果は,ミッドギャップエッジ状態の分離はかなり可変,空孔サイトの選択に依存することを予測した。ミッドギャップエッジ状態と零モード状態を経由する透過を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ゼロモード ,  炭素 ,  π電子 ,  薄膜 ,  *量子ドット ,  量子閉込め ,  電子構造 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  強結合
準シソーラス用語： 強束縛モデル ,  ミッドギャップ ,  準一次元 ,  *エッジ状態 ,  *グラフェンナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Nanostructures ,  Semiconductors ,  薄膜 ,  欠陥 ,  電子構造

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェンナノリボン ,  量子ドット ,  エッジ状態 ,  空格子点 ,  誘起 ,  シフト