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J-GLOBAL ID：201702213580483734   整理番号：17A0911183

(001)シリコン基板上の調整可能なヒステリシスを有するフィンアレイトンネルトリガ【Powered by NICT】

Fin-Array Tunneling Trigger With Tunable Hysteresis on (001) Silicon Substrate

著者 (3件)： Han Yu (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Li Qiang (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Lau Kei May (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 5  ページ： 556-559  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厳密な(001)シリコン基板上にモノリシックに集積したGaAsのフィン列トンネルトリガの作製と特性化を報告した。オンチップ負荷抵抗を持つトンネルダイオードを接続することにより二重掃引条件下で観察されたSchmittトリガのような挙動。トンネルトリガ回路は,負荷線解析を用いて研究した。回路の臨界パラメータを抽出した。回路ヒステリシスはダイオード寸法と負荷抵抗値の調整により調整できることが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ダイオード ,  *フィン ,  トンネルダイオード ,  キャラクタリゼーション ,  トリガ回路 ,  *ヒステリシス ,  臨界パラメータ ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： 負荷抵抗 ,  オンチップ ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコン基板 ,  ヒステリシス