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J-GLOBAL ID：201702213765004768   整理番号：17A1020283

非晶質GeSe_1 4Sn_0 6膜の光学的および電気的輸送特性に及ぼす膜厚の影響【Powered by NICT】

Impact of film thickness on optical and electrical transport properties of noncrystalline GeSe_1.4Sn_0.6 films

著者 (5件)： Rashad M. (Physics Department, Faculty of Science, Assiut University, Assiut 71516, Egypt) ,  Rashad M. (Department of Physics, Faculty of Science, Tabuk University, Tabuk, Saudi Arabia) ,  Darwish A.A.A. (Department of Physics, Faculty of Education at Al-Mahweet, Sana’a University, Al-Mahweet, Yemen) ,  Darwish A.A.A. (Department of Physics, Faculty of Science, Tabuk University, Tabuk, Saudi Arabia) ,  Attia A.A. (Department of Physics, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy square11757, Cairo, Egypt)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 470  ページ： 1-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 145nm,230nm,343nmのいろいろな膜厚をもつGeSe_1 4Sn_0 6の光学的および電気的特性を研究した。構造特性を種々の厚さでのこれらの膜の非晶質性を確認した。これらの膜の透過率(T)および反射率(R)は異なる膜厚で測定し,次いで他の光学的性質を計算した。計算線形光学的性質は,これらの膜の光学バンドギャップ,フォノンエネルギー,屈折率および誘電定数は膜厚の増加とともに増加していることを示した。一方,計算された三次非線形光学感受率はGeSe_1 4Sn_0 6薄膜の膜厚の関数であることが分かった。電気的性質に関して,dc電気伝導率,および電流-電圧依存性の両方がGeSe_1 4Sn_0 6異なる膜厚を研究した。温度の関数としての直流電気伝導率はMottとDavisモデルを検証した。実験と計算の結果は,この膜は電流-電圧関係上の二領域を持つことを示した。オーム地区では,伝導はこの膜の禁止帯における電子のトラップを持っていない。高電圧の範囲では,電流は単一トラップレベルで制御した限定された空間電荷が期待されている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 屈折率 ,  電気伝導率 ,  光学的性質 ,  *非晶質 ,  誘電率 ,  空間電荷 ,  電流 ,  線形性 ,  *エレクトロトランスポート ,  電圧 ,  電圧依存性 ,  光学ギャップ ,  *膜厚 ,  薄膜 ,  *セレン

著者キーワード (6件)： カルコゲン化物 ,  Ge Se Sn系 ,  膜厚 ,  光学的性質 ,  非線形光学感受率 ,  電気的性質

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非晶質 ,  光学 ,  電気的輸送 ,  膜厚