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J-GLOBAL ID：201702213807702576   整理番号：17A1777610

界面ドーピングによるZnOナノワイヤの量子干渉効果と磁気輸送の操作【Powered by NICT】

Manipulating the quantum interference effect and magnetotransport of ZnO nanowires through interfacial doping

著者 (8件)： Zhao Siwen (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, P.R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Wu Yiming ,  Zhang Kaixuan ,  Ding Huaiyi ,  Du Dongxue ,  Zhao Jiyin ,  Pan Nan ,  Wang Xiaoping
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 44  ページ： 17610-17616  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CVD成長の二段階の間の原子層界面Δドーピングを導入することにより界面Alドープ(IAD)と界面自然にドープされた(IND)ZnOナノワイヤ(NW)を調製した。これらNWの温度可変電子輸送と磁気輸送挙動を系統的に調べた。ユニークな構造,品質保証された成長法によって,一連の量子干渉効果のIAD ZnO NW,弱い局在,普遍コンダクタンスゆらぎとAltshuler-Aronov-Spivak振動を含む明瞭に観察された。電子の位相コヒーレンス長(L_φ)がIAD ZnO NWの100nm,INDのそれよりもはるかに長く,最も通常ドープしたZnO NWを超えた。ZnO NWにおける量子干渉効果の品種を効率的にこの能力はナノオプトエレクトロニクス,ナノ-および量子エレクトロニクス及び固体量子計算への応用のための非常に望ましい。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 量子計算 ,  *界面 ,  位相 ,  *量子干渉効果 ,  品質保証 ,  *ドーピング ,  コヒーレンス長 ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： 量子エレクトロニクス ,  普遍コンダクタンスゆらぎ ,  弱局在 ,  電子輸送 ,  原子層 ,  *磁気輸送 ,  *酸化亜鉛ナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： 界面ドーピング ,  ZnOナノワイヤ ,  量子干渉効果 ,  磁気輸送