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J-GLOBAL ID：201702213808329157   整理番号：17A0794843

サブ5nmゲート長さスケールにおける二次元遷移金属ジカルコゲン化物FETの評価【Powered by NICT】

Assessment of 2-D Transition Metal Dichalcogenide FETs at Sub-5-nm Gate Length Scale

著者 (2件)： Dong Zhipeng (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA) ,  Guo Jing (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 2  ページ： 622-628  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元遷移金属二カルコゲン化物(TMDC)FETは,シリコンCMOSナノエレクトロニクスの端を越えてスケーリングのための有望なデバイスである。Poisson方程式と自己無撞着量子輸送方程式を解くことにより,5nm以下スケールのゲート長をもつTMDC FETの性能可能性を調べた。結果は,ゲートスペーサとアンダーラップドーピングの設計することは,デバイス特性と性能に重要な役割を果たすことを示した。高周波性能ポテンシャルとデジタルエレクトロニクス性能電位の両方を調べた。固有遮断周波数は,ゲート長が1nmにスケールダウンするにつれて増加することを示し,それはL_G=1nmでTHzおよび以上であった。が,ゲートフリンジングキャパシタンスはカットオフ周波数,短ゲート長さ1nmで特に重要なを著しく低下させることができた。TMDC FETインバータのシミュレーションは小さな固有遅延,大きな電圧利得,および十分に大きな静的雑音マージンは5nm以下の積極的にスケールされたゲート長さで維持されることを示した。ゲート長1nmまでの二次元TMDC FETは高周波とディジタルエレクトロニクス応用の両方における良好な性能の可能性を持つべきである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： Poisson方程式 ,  雑音 ,  HF【周波数】 ,  ケイ素 ,  遮断周波数 ,  ポテンシャル ,  *二次元 ,  電位
準シソーラス用語： 電圧利得 ,  スケールダウン ,  デバイス特性 ,  *ゲート長 ,  輸送方程式 ,  ナノエレクトロニクス ,  *長さスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： サブ ,  ゲート ,  長さスケール ,  遷移金属ジカルコゲン化物 ,  FET ,  評価