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J-GLOBAL ID：201702213846152758   整理番号：17A1460383

エピタキシャル成長させたトポロジカル結晶絶縁体SnTe(111)のARPES研究【Powered by NICT】

ARPES study of the epitaxially grown topological crystalline insulator SnTe(111)

著者 (22件)： Zhang Yi (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Zhang Yi (Stanford Institute of Materials and Energy Sciences, SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, CA 94025, USA) ,  Zhang Yi (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA 94720, USA) ,  Liu Zhongkai (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 200031, China) ,  Liu Zhongkai (Geballe Laboratory for Advanced Materials, Departments of Physics and Applied Physics, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA) ,  Zhou Bo (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA 94720, USA) ,  Zhou Bo (Department of Physics and Clarendon Laboratory, University of Oxford, Parks Road, Oxford, OX1 3PU, UK) ,  Kim Yeongkwan (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA 94720, USA) ,  Yang Lexian (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA 94720, USA) ,  Yang Lexian (Department of Physics and Clarendon Laboratory, University of Oxford, Parks Road, Oxford, OX1 3PU, UK) ,  Yang Lexian (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics, Collaborative Innovation Center of Quantum Matter and Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Ryu Hyejin (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA 94720, USA) ,  Ryu Hyejin (Max Plank POSTECH Center for Complex Phase Materials, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, Republic of Korea) ,  Hwang Choongyu (Max Plank POSTECH Center for Complex Phase Materials, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, Republic of Korea) ,  Hwang Choongyu (Department of Physics, Pusan National University, Busan 609-735, Republic of Korea) ,  Chen Yulin (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 200031, China) ,  Chen Yulin (Department of Physics and Clarendon Laboratory, University of Oxford, Parks Road, Oxford, OX1 3PU, UK) ,  Chen Yulin (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics, Collaborative Innovation Center of Quantum Matter and Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Hussain Zahid (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA 94720, USA) ,  Shen Zhi-Xun (Stanford Institute of Materials and Energy Sciences, SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, CA 94025, USA) ,  Shen Zhi-Xun (Geballe Laboratory for Advanced Materials, Departments of Physics and Applied Physics, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA) ,  Mo Sung-Kwan (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA 94720, USA)
資料名： Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena  (Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena)
巻： 219  ページ： 35-40  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0266C  ISSN： 0368-2048  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnTeは典型的なトポロジカル結晶絶縁体のギャップレス表面状態は結晶対称性によって保護されている。SnTeにおけるトポロジカル特性の特徴は,そのバルクBrillouin帯のL点近傍のバンド反転から生じる,鏡映対称性を有する表面に投影されたDiracコーン角度分解光電子放出により測定することができる。BaF_2(111)基板上に分子ビームエピタクシーによりSnTe薄膜の(111)表面を得た。,(111)表面に垂直な方向における多重Brillouin帯をカバーする,その場角度分解光電子放出の光子エネルギー依存性は,表面Brillouin帯のΓ とM 点で予測されたDiracコーンを実証した。添加では,バルクBrillouinゾーンのΓ点でのDirac円錐様バンド構造,DiracエネルギーはΓ とM 点での結果と概して違わを観測した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギー依存性 ,  薄膜 ,  バンド構造 ,  光電子放出 ,  *結晶 ,  多重化 ,  Brillouin帯 ,  電子構造 ,  *絶縁体 ,  光子 ,  MBE成長
準シソーラス用語： Diracコーン ,  鏡映対称性 ,  結晶対称性 ,  *ARPES , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： SnTe(111) ,  トポロジカル結晶絶縁体 ,  Diracコーン ,  ARPES ,  MBE ,  光電子放出 ,  電子構造

分類 (1件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル成長 ,  トポロジカル結晶絶縁体 ,  SnTe ,  ARPES ,  研究