抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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限られた書き込み耐久性は将来のコンピューティングシステムにおける相変化メモリ(PCM)を用いての方法における定在主な障害である。いくつかのウェアレベリングとハード誤り耐性技術は,PCM寿命を改善するために提案されているが,これらの方法の大部分は基礎となる記憶は非常に簡単な書込みトラヒック削減方式(例えば,緩衝,示差書き込み)を使用すると仮定した。特に,最もPCMプロトタイプ/チップを示差書き込み(DW)を支援するための埋め込み回路を備えている 書込み,新旧データの間で異なることをビットだけを更新する。DWでは,メモリブロックにおける更新のビットパターンは通常ランダム,アーキテクチャレベル(例えば,ウェアレベリングとハードエラー耐性のような技術を用いて)での寿命向上のための得られたビットパターンを利用する機会を制限している。本論文では,この非効率性に焦点を当て,データ圧縮に基づいた解を提案した。圧縮を用いたPCMメモリの寿命を改善することができる。最先端の圧縮方式を用いて,圧縮データのサイズは通常排除に最終レベルキャッシュからの記憶に書かれたオリジナルデータよりはるかに小さかった。標的メモリブロックの圧縮フォーマットのデータを格納することによって,まず,少ないメモリセルビットフリップの数を制限する,より効率的な内線ウェアレベリングと障害回復を可能にし,第二に,メモリブロックにおける未利用ビットが(圧縮)データの削減サイズを与えられた故障ビットの代替として再利用することができる。メモリブロックの一部では,得られた圧縮データは非常に小さくないことが起こり得る。これは圧縮によって導入された増加したデータエントロピーに起因すると考えられる,ビットフリップの総数は,ベースラインシステム上で増加するであろう。本論文では,データ圧縮の共同操作を提供し,PCMメモリを標的とする微分書き込み,消去と誤り耐性技術手法を示した。圧縮から最大の利益を獲得する方法を提案し,高エントロピー書き込みの数を減少させる技術の利点を享受した。異なる解を組み合わせたアプローチを用いて,この機構はメモリ線あたり2.9×より細胞障害を許容し,PCMメモリ寿命の4.3倍増加を達成し,ベースライン最新PCM DIMMメモリに関係する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
