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J-GLOBAL ID：201702214127769372   整理番号：17A1465183

Ge成長モードのC-Si反応と遷移を用いたSi(100)上のGe量子ドットの形成に及ぼす炭素被覆の影響【Powered by NICT】

Effects of carbon coverage on Ge quantum dots formation on Si(100) using C-Si reaction and transition of Ge growth mode

著者 (6件)： Yasuta Kosuke (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Itoh Yuhki (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Itoh Yuhki (Division for International Advanced Research and Education (DIARE), Tohoku University, 6-3, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8578, Japan) ,  Itoh Yuhki (Japan Society for the Promotion of Science Research Fellow for Young Scientists, Kojimachi Business Center Building, 5-3-1 Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0083, Japan) ,  Kawashima Tomoyuki (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Washio Katsuyoshi (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 70  ページ： 173-177  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面再構成の状態を変化するSi(100)基板上にCが仲介するGe量子ドット(QD)形成に及ぼす炭素(C)被覆の影響を固体源分子ビームエピタクシーを用いて調べた。0 2.0単分子層(ML)では,Ge QDはスケールダウンとその密度はC被覆と共に増加した。さらに,Ge量子ドットの成長モードは,濡れ層のないVolmer-Weber(VW)モードからC=0.50 0 0.75MLのためのぬれ層とStranski-Krastanov(SK)モードに変化した。この転移はGe/Si界面近傍のC-Ge結合の形成によるGeとSi表面の間の界面エネルギーの減少により誘導された。C≧2.5MLでは,Ge-QDはわずかに増大し,その密度はC被覆の増加とともに減少し,Ge成長モードをVWモードへ戻った。Raman分光法とX線光電子分光法は,Si表面に非晶質炭素とナノ結晶黒鉛の混合物の形成を明らかにした。大量C-C(sp~2)結合の形成はC.の表面エネルギーの減少に起因するVWモードにSKモードからQDsの成長転移を誘導するCopyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 表面エネルギー ,  *被覆 ,  ナノ結晶 ,  *量子ドット ,  Raman分光法 ,  MBE成長 ,  *ゲルマニウム ,  グラファイト ,  X線光電子分光法 ,  単分子層 ,  *ケイ素 ,  表面再構成
準シソーラス用語： 濡れ層 ,  *シリコン(100) ,  *成長モード , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ゲルマニウム ,  量子ドット ,  シリコン ,  炭素 ,  分子ビームエピタクシー(MBE) ,  X線光電子分光法

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  光導電素子  (NC03083X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  成長モード ,  Si ,  遷移 ,  量子ドット ,  炭素被覆