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J-GLOBAL ID：201702214212536103   整理番号：17A0914546

GaN系ヘテロ構造へのOhm接触作製技術の最適化【Powered by NICT】

Optimization of Ohmic contact fabrication technology to GaN-based heterostructures

著者 (5件)： Negencev Aleksei (Nanotechnology in Electronics, National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russian Federation) ,  Zemlyakov Valeriy (Nanotechnology in Electronics, National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russian Federation) ,  Egorkin Vladimir (Nanotechnology in Electronics, National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russian Federation) ,  Garmash Valentin (Nanotechnology in Electronics, National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russian Federation) ,  Emelianov Aleksei (Nanotechnology in Electronics, National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russian Federation)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EIConRus  ページ： 1413-1415  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNヘテロ構造に対する低比接触抵抗を達成するために開発されている接触作製技術。接触は,Ti/Al/Ni/Au金属スタックからなり,半導体表面とそれに続く窒素中の急速熱アニーリング(RTA)に電子ビーム蒸着により堆積した。870°Cで0.2Ωmmの低い比接触抵抗この低い値はTi膜厚とアニーリング温度の最適化によって得た。Ti層の最適厚さは22nmであり,rms粗さ(Rq)は約100nmであった。最適化接触は良好な再現性と滑らかな表面形態を有していた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子ビーム蒸着 ,  再現性 ,  *窒化ガリウム ,  チタン ,  *最適化 ,  窒素 ,  膜厚 ,  アルミニウム ,  RTA【熱処理】 ,  *Ohm接触
準シソーラス用語： 表面形態 ,  アニーリング温度 ,  比接触抵抗 ,  AlGaN/GaN ,  *作製技術 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ヘテロ構造 ,  Ohm接触 ,  作製 ,  最適化