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J-GLOBAL ID：201702214221345981   整理番号：17A0621607

静電型ナノワイヤ:ガス検知用の新しいプラットフォーム

The Electrostatically Formed Nanowire: A Novel Platform for Gas-Sensing Applications

著者 (1件)： SHALEV Gil (Ben-Gurion Univ. the Negev, Beer-Sheva, ISR)
資料名： Sensors (Web)  (Sensors (Web))
巻： 17  号： 3  ページ： WEB ONLY  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： U7015A  ISSN： 1424-8220  CODEN： SENSC9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 静電型ナノワイヤ(EFN)ガスセンサはマルチゲート電解効果型トランジスタと導電性ナノワイヤで構成される。ナノワイヤは,物理的にではなく,幾つかのゲートに適切なバイアス電圧を印加する静電加工によって特徴づけられる。EFNは厳密な管理を要しない標準的なシリコン処理技術によって組立られる。低コストで,堅ろうなガスセンサとなり,大量生産に向いている。リソグラフィーによる最も細い線は0.5μmであるが,バイアス電圧を最適に調整することで導電性チャネルを20nm以下の直径を有するナノワイヤに変える事ができた。ナノワイヤのサイズや形を調整すると,感度,検出リミット,ダイナミックレンジを変える事ができる。これから,バイアス電圧のみの調整で,感度が良く,ダイナミックレンジの広いFENガスセンサを製作した。現在,FENガスセンサの設計,組み立てやプロセスフロー,電気的特性を決める手段,室温での検出性能等を見直している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  ガスセンサ ,  リソグラフィー ,  ダイナミックレンジ ,  電圧 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *方式
準シソーラス用語： *シリコンナノワイヤ ,  バイアス電圧 ,  マルチゲートFET ,  *マルチゲート電界効果型トランジスタ ,  *静電気的プロセス ,  静電電位

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の応用  (NC06040B)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノワイヤ ,  ガス検知 ,  プラットフォーム