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J-GLOBAL ID：201702214244924106   整理番号：17A0774278

Xバンド大Zha寛高出力パワーALGAN/GAN HEMTの研究【JST・京大機械翻訳】

Study on AlGaN/GaN HEMT with Long Gate-Width and High Output Power at X Band

著者 (2件)： Gu Weidong (the 13(th) Research Insititue, CETC) ,  Zhang Zhiguo (the 13(th) Research Insititue, CETC)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 34  号： 11  ページ： 1082-1084  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： MOCVD技術を用いて,中国のSIC基板上のGAN HEMTエピタキシャル材料を作製し,その抵抗は260Ω/□以下であり,移動度の最大値は2CM2V(-1)S(-1)であり,シート抵抗と移動度は3%以下であった。新しいゲート構造と高応力SIN不動態化技術を採用して、大Zha寛の漏れ電流を低減し、動作電圧を向上させた。その結果,ゲートMMの四つのセル内の整合素子のXバンド出力は141.25Wであり,線形利得は12DB以上であり,PAEは41.4%であることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： MOCVD ,  シート抵抗 ,  *HEMT ,  線形性 ,  中華人民共和国 ,  不動態化 ,  利得 ,  エピタクシー ,  漏れ電流 ,  移動度 ,  動作電圧 ,  *高出力 ,  *Xバンド ,  改変

著者キーワード (4件)： A1GaN/GaN HEMT ,  long gate width ,  high operation voltage ,  high output power

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Xバンド ,  高出力 ,  パワー ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  研究