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J-GLOBAL ID：201702214245247499   整理番号：17A0511143

半導体パワーデバイスの研究開発と利用の動向 GaNパワーデバイスの応用技術

著者 (1件)： 上田哲三 (パナソニック)
資料名： 電気評論  (Electrical Review)
巻： 102  号： 4  ページ： 35-39  発行年： 2017年04月10日 
JST資料番号： G0720A  ISSN： 0285-5860  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パナソニック(株)において量産化したSi基板上GaNパワーデバイスとその機器応用の事例について紹介する。p型ゲート構造により,新たな動作原理のトランジスタであるGIT(Gate Injection Transistor)を実現した。開発したGITはノーマリオフ動作と低オン抵抗を両立させ,これまでのGaNトランジスタにおける課題であった連続安定動作を実現できる有望なデバイスである。GITを用いることで,機器の高効率動作・小型化が確認できており,さらなる応用分野拡大と普及が期待される。

シソーラス用語： *半導体 ,  *半導体素子 ,  *研究開発 ,  *利用 ,  *窒化ガリウム ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  トランジスタ ,  オン抵抗
準シソーラス用語： *パワーデバイス ,  Si基板 ,  P型シリコン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： パワーデバイス ,  研究 ,  開発 ,  動向 ,  GaNパワーデバイス ,  応用