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J-GLOBAL ID：201702214297792669   整理番号：17A1959664

化学気相堆積法を用いたシリコンナノワイヤアレイにMoS_2ナノペタルの制御された成長【Powered by NICT】

Controlled growth of MoS₂ nanopetals on the silicon nanowire array using the chemical vapor deposition method

著者 (2件)： Chen Shang-Min (Department of Physics, National Changhua University of Education, Changhua 500, Taiwan) ,  Lin Yow-Jon (Institute of Photonics, National Changhua University of Education, Changhua 500, Taiwan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 481  ページ： 18-22  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケール半導体ヘテロ接合の形成への物理的/化学的洞察を得るために,MoS_2フレークは化学蒸着(CVD)によってけい素ナノワイヤ(SiNW)アレイ上に堆積した。本研究では,H_2O_2処理は良好な場所を提供する重要な役割を果たしている(すなわち,核形成中心,触媒制御中心または「種子」)ことをSiNW表面上のSi-O結合の形成は,SiNWにMoS_2の成長を支配することができる。この構成を用いて,MoS_2の表面形態に及ぼすS/MoO_3質量比(M_S/M_MoO3)の変化の影響を調べた。M_S/M_MoO3の値の増大は,核形成速度をもたらし,MoS_2ナノ花弁の大きさを増加させることを示した。本研究では,種々のナノスケール応用のための直接CVD成長エッジ指向MoS_2/SiNWヘテロ接合のための貴重な科学的情報,水素発生反応と電子および光電子デバイスを提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  触媒 ,  水素発生反応 ,  フレーク ,  *化学蒸着 ,  核形成
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  核形成速度 ,  質量比 ,  表面形態 ,  Si-O結合 ,  *シリコンナノワイヤ ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1結晶形態 ,  A3化学蒸着過程 ,  B1ナノ材料 ,  B2半導体シリコン

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学気相堆積 ,  シリコン ,  ナノワイヤアレイ ,  ペタル ,  成長