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J-GLOBAL ID：201702214490161546   整理番号：17A1430013

ZnOへの酸化貴金属Schottky接触の熱安定性【Powered by NICT】

Thermal stability of oxidized noble metal Schottky contacts to ZnO

著者 (5件)： Hyland A.M. (The MacDiarmid Institute for Advanced Materials and Nanotechnology, University of Canterbury, Christchurch 8043, New Zealand) ,  Reeves R.J. (The MacDiarmid Institute for Advanced Materials and Nanotechnology, University of Canterbury, Christchurch 8043, New Zealand) ,  Makin R.A. (Department of Electrical and Computer Engineering, Western Michigan University, Kalamazoo, MI 49008-5329, USA) ,  Durbin S.M. (Department of Electrical and Computer Engineering, Western Michigan University, Kalamazoo, MI 49008-5329, USA) ,  Allen M.W. (The MacDiarmid Institute for Advanced Materials and Nanotechnology, University of Canterbury, Christchurch 8043, New Zealand)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 69  ページ： 9-12  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 180°Cで強い整流性を示すことが熱的に安定な酸化パラジウム(PdO_x,x=0~1.4)と酸化イリジウム(IrO_x,x=0~1.9)Schottky接触(SC)は水熱成長した単結晶ZnOウエハのZn極性(0001)面上に作製した,反応性rfスパッタリングと反応性食パルスレーザ蒸着をそれぞれ利用して行った。これらPdO_xとIrO_x SCsは1.25eVと1.02eVの有効障壁高さ,それぞれ,室温電流整流(±2.0Vのバイアスで)の大きさの12桁以上を有する高度に整流し,それぞれ,理想因子は1.03と1.02であった横方向に均質な接触に関する鏡像力制御限界に非常に近いことをほぼ「理想的な」であった。これらSCsの強い整流性能は180°Cで維持され,PdO_xとIrO_x SCの7と6桁以上の整流作用をもつ,それぞれ,高温応用に対するそれらの適合性を示した。温度範囲20 180°C以上の電流-電圧特性はPdO_xとIrO_x SCの39±15Acm~ 2K~ 2と9±1Acm~ 2K~ 2のRichardson定数値を抽出するために用い,それぞれ,32Acm~ 2K~ 2の理論値に近かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化パラジウム ,  反応性 ,  電流 ,  酸化イリジウム ,  *酸化亜鉛 ,  スパッタリング ,  *熱安定性 ,  バイアス ,  単結晶 ,  *酸化 ,  パルスレーザ蒸着 ,  整流
準シソーラス用語： 理想因子 ,  障壁高さ ,  *Schottky接触 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ZnO ,  Schottky接触 ,  Richardson定数 ,  高温度 ,  パラジウム ,  イリジウム

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnO ,  酸化 ,  貴金属 ,  Schottky接触 ,  熱安定性