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J-GLOBAL ID：201702214509253820   整理番号：17A0580979

アモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタメモリ用高密度ニッケルナノ粒子のプラズマアシスト原子層堆積

Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition of High-Density Ni Nanoparticles for Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Film Transistor Memory

著者 (5件)： QIAN Shi-Bing (Fudan Univ.) ,  WANG Yong-Ping (Fudan Univ.) ,  SHAO Yan (Fudan Univ.) ,  LIU Wen-Jun (Fudan Univ.) ,  DING Shi-Jin (Fudan Univ.)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 12  号： 1  ページ： 12:138 (WEB ONLY)  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,ニッケロセン及びNH3前駆体を用いたプラズマ支援原子層堆積(ALD)技術により,ニッケルナノ粒子(NPs)の成長を初めて調べた。電界放出型走査型電子顕微鏡とX線光電子分光法により,基板温度と堆積サイクルがALDニッケルナノ粒子に及ぼす影響を調べた。プロセスパラメータを最適化することにより,基板温度が280°Cで,堆積サイクルが50回の場合,密度が1.5×1012cm^-2,サイズが3から4nmの高密度で均一なニッケルナノ粒子が得られた。更に,上記のニッケルナノ粒子は,アモルファスのインジウム-ガリウム-亜鉛酸化物(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)メモリの電荷蓄積媒体として使用され,電子の高い記憶容量を実証した。特に,不揮発性メモリは,17Vで5msのプログラムされた後に,8.03Vという大きな閾値電圧シフトが得られるなど,優れたプログラミング特性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  *非晶質 ,  *ナノ粒子 ,  *物理蒸着 ,  *化学蒸着 ,  ニッケル錯体 ,  メタロセン ,  有機ニッケル化合物
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  *In-Ga-Zn-O ,  *アモルファス ,  *ニッケルナノ粒子 ,  ニッケロセン ,  *プラズマアシストPVD ,  *原子層堆積

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： アモルファス ,  薄膜トランジスタ ,  高密度 ,  ニッケルナノ粒子 ,  プラズマ ,  アシスト ,  原子層堆積