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J-GLOBAL ID:201702214511446153   整理番号:17A1546072

光起電力吸収体としての銅硫化アンチモン薄膜を作製するためのその場気相-固相反応【Powered by NICT】

In situ gas-solid reaction for fabrication of copper antimony sulfide thin film as photovoltaic absorber
著者 (8件):
資料名:
巻: 209  ページ: 23-26  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0935A  ISSN: 0167-577X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本報告では,簡単な,低コスト,in situ気体-固体反応法は銅硫化アンチモン(CuSbS_2)半導体膜の堆積,銅及びアンチモン金属前駆体は最初TiO_2基板,続いてH_2Sガス,さらに熱アニーリングとの反応による上にスピンコートするに成功裏に用いられている。CuSbS_2膜は400nm~830nmの範囲で1.57eVのバンドギャップを持つ幅広い吸収を示した。X線光電子分光法(XPS)分析は,Cu~+,Sb~3+およびS~2 の合成試料の原子価状態を確認し,純粋なCuSbS_2を検証した。に加えて,一段階法で作製したCuSbS_2膜は光起電力吸収体としての高い可能性を有する良好な光電特性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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光伝導,光起電力  ,  酸化物薄膜 

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