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J-GLOBAL ID：201702214569349454   整理番号：17A1525624

薄膜抵抗に基づく導波路E-T電力割当/合成器【JST・京大機械翻訳】

Power divider/combiner of waveguide E-T junction based on thin film resistor

著者 (3件)： Wang Bin (中国電子科技集団公司第54研究所,河北石家庄,050081) ,  Tian Bing (中国電子科技集団公司第54研究所,河北石家庄,050081) ,  Wang Chunting (中国電子科技集団公司第54研究所,河北石家庄,050081)
資料名： Hongwai yu Haomibo Xuebao  (Hongwai yu Haomibo Xuebao)
巻： 36  号： 1  ページ： 114-119  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0174C  ISSN： 1001-9014  CODEN： HHXUEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 単一デバイスの出力パワーがシステムの要求を満たさないとき,パワー合成技術はシステムの出力を改善する有効な方法である。本論文では,薄膜抵抗に基づく導波路E-T電力分配/合成器を詳細に研究し,膜抵抗に基づく新しい導波路E-T接合を設計した。この構造は高い分離度、低い挿入損失、小体積、広帯域などの利点がある。薄膜抵抗のアスペクト比を合理的に設計することにより,薄膜抵抗の面積を増加させ,高伝導率の窒化アルミニウムセラミック基板をマイクロストリップとシート抵抗の誘電体基板として用い,薄膜抵抗に基づく導波路E-T接合の電力を向上させた。三次元電磁場シミュレーションソフトウェアHFSSを用いて,シミュレーションを行い,25~34GHzにおける挿入損は0.2dB以下,エコー損失は-15dB以下,分離度は10dBより優れていた。比較により,測定結果はシミュレーション結果と一致し,良好な工学的応用価値があることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  シート抵抗 ,  挿入損 ,  電磁場 ,  窒化アルミニウム ,  誘電体 ,  広帯域 ,  *薄膜 ,  *電力 ,  アスペクト比 ,  *導波路 ,  マイクロストリップ線路 ,  三次元
準シソーラス用語： 分離度 ,  *膜抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Ka-band ,  power divider/combiner ,  waveguide E-T junction ,  thin-film resistor

分類 (2件)： その他の伝送回路素子  (NC04070U) ,  伝送線  (NC04030C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 膜抵抗 ,  導波路 ,  電力割当 ,  合成器