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J-GLOBAL ID：201702214726580468   整理番号：17A0551329

Cu(111)上のPb島中の量子井戸の鮮鋭度誘導エネルギーシフト

Sharpness-induced energy shifts of quantum well states in Pb islands on Cu(111)

著者 (8件)： CHAN Wen-Yuan (Inst. of Physics, Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LU Shin-Ming (Inst. of Physics, Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  SU Wei-Bin (Inst. of Physics, Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LIAO Chun-Chieh (Inst. of Physics, Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LIAO Chun-Chieh (National Taiwan Ocean Univ., Keelung, TWN) ,  HOFFMANN Germar (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  TSAI Tsong-Ru (National Taiwan Ocean Univ., Keelung, TWN) ,  CHANG Chia-Seng (Inst. of Physics, Academia Sinica, Taipei, TWN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 9  ページ： 095706,1-9  発行年： 2017年03月03日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査トンネリング顕微鏡法(STM)におけるチップと試料の構造は近似的に平行平面と仮定されている。しかし,STMチップは原子分解能を得るために鮮鋭化されており,チップと表面間の電場は実際には均質ではない。本稿では,STM中のチップ鮮鋭度が多くの電界放出(FE)共鳴によりキャラクタリゼーションできることを明らかにした。FE共鳴の高数は高鮮鋭度を示した。異なるチップ鮮鋭度レベル下のCu(111)上のPb島中の空の量子井戸(QW)状態を観測した。鮮鋭チップにより観測されたQW状態が低エネルギーをもち,負エネルギーシフトを明らかにした。この鮮鋭度誘導エネルギーシフトはSTMギャップ中の不均質電場に起因した。鮮鋭度の増加は電場不均質性を増加させ,チップ頂点近くの電場を増強させたが,試料近くの電場を弱くさせた。結果として,高鮮鋭度は真空中の電子相を増加させ,QW状態エネルギーの低下を引き起こした。さらに,負エネルギーシフトの状態エネルギーの関数としての挙動は2と9原子層の厚みをもつPb島の場合にはまったく異なった。この厚み依存性挙動はチップ鮮鋭度の増加によるSTMギャップ減少における静電力に起因した。

シソーラス用語： *走査型トンネル顕微鏡 ,  *探触子 ,  *量子井戸 ,  *銅 ,  *鉛 ,  鮮鋭度 ,  電界放出 ,  電場効果 ,  不均一性 ,  変形 ,  結晶方位 ,  金属薄膜
準シソーラス用語： *STMチップ ,  エネルギーシフト ,  プローブチップ ,  原子層 ,  原子分解能 ,  厚み依存性 ,  静電力

分類 (2件)： 電子顕微鏡,イオン顕微鏡  (BD02050B) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  Pb ,  量子井戸 ,  鮮鋭度 ,  誘導 ,  エネルギーシフト