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J-GLOBAL ID：201702214908988184   整理番号：17A1963810

水,水素および極端紫外光の存在下での非晶質シリコン基板上の単層グラフェンの芳香族構造分解【Powered by NICT】

Aromatic structure degradation of single layer graphene on an amorphous silicon substrate in the presence of water, hydrogen and Extreme Ultraviolet light

著者 (5件)： Mund B.K. (Industrial Focus Group XUV Optics, MESA+ Institute of Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands) ,  Sturm J.M. (Industrial Focus Group XUV Optics, MESA+ Institute of Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands) ,  Lee C.J. (Industrial Focus Group XUV Optics, MESA+ Institute of Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands) ,  Lee C.J. (Quantum Transport in Matter Group, MESA+ Institute of Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands) ,  Bijkerk F. (Industrial Focus Group XUV Optics, MESA+ Institute of Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 427  号： PB  ページ： 1033-1040  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,極端紫外(EUV)照射下及び水素の存在下での水とグラフェンの反応を検討した。本研究では,下地基板として非晶質Si上の単層グラフェン(SLG)を水(0.75mL)を添加したおよび背景におけるH_2の分圧によるEUV(λ=13.5nm, 92eV)に曝露した。結果は,EUV及びH_2に曝露されたとき,グラフェンの芳香族構造は1,3ジケトンのアリールケトンとエノールに破綻することを示した。赤外(IR)分光法は,SLGは酸化し,グラフェン形成ケトンおよびカルボン酸の結晶粒界の端部に導くH_2圧力の増加であることを示した。in situおよび露光後解析は,またEUV露光は,グラフェン層のsp~2含有量を減少させ,.~3量を増加させ,より欠陥の多いグラフェン層をもたらすことを明らかにした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ケトン ,  下地 ,  *水素 ,  *グラフェン ,  結晶粒界 ,  露光 ,  カルボン酸 ,  *アモルファスシリコン ,  *極端紫外線 ,  分圧 ,  エノール
準シソーラス用語： *単層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 単層グラフェン ,  反射吸収赤外分光法 ,  水 ,  昇温脱離 ,  極端紫外光 ,  水素

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 水 ,  水素 ,  極端紫外光 ,  非晶質 ,  シリコン基板 ,  単層グラフェン ,  芳香族 ,  分解