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J-GLOBAL ID：201702214911088944   整理番号：17A1649198

Vバンド応用のための面取り曲がりのあるRSIWにおけるY接合の設計【Powered by NICT】

Design of Y junction in RSIW with chamfered bends for V-band applications

著者 (5件)： Sayed Tabassum (Department of Electronics & Communication Engineering, Amity University, Uttar Pradesh, India) ,  Shreyam Richa (Department of Electronics & Communication Engineering, Amity University, Uttar Pradesh, India) ,  Garg Ridhi (Department of Electronics & Communication Engineering, Amity University, Uttar Pradesh, India) ,  Shah Shalini (Department of Electronics & Communication Engineering, Amity University, Uttar Pradesh, India) ,  Tripathy Malay Ranjan (Department of Electronics & Communication Engineering, Amity University, Uttar Pradesh, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICSSS  ページ： 324-329  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HFSSコードを用いた矩形基板集積導波路技術におけるY接合の設計考察と解析に関するものである。提案した設計は,低製造コスト,低信号損失,平面プロファイルなどの利点,マイクロ波応用における他のマイクロ波素子と高性能の容易に統合を統合する。透過係数S21と31は,導波路中の入力電力(3W)を示したSIW Y接合を用いて必要な様式で 8dBの電力または併用 8dB電力に等しく分離であることを示した。分割電場は,入力でのE場と同じ相であった。電磁波の伝搬方向は限らない直線と波の方向は有界媒質中の変化するならば,それは面取り少ないベンドから波の反射に起因する曲げ損失に遭遇する。引き起こす曲げ損失がなく有界媒質中の方向変化に対して,面取りベンドを設計した。研究は,提案した長方形基板集積導波路における面取りマイクロ波ベンドの設計と解析に寄与した。これら新しく設計したベンドは超高周波(55GHz)でのV帯[40-75GHz]で最適化した。提案したSIW Y接合はRT/Duroid基板上に設計され,測定結果は,リターン損失は 44.5668dBであり,出力ポートでVS WRは1.1と1.2であり,反射損失は,周波数55GHzで 0.0059dBであることを示した。,結果の研究を通して,提案したSIW Y接合は全Vバンドで低損失の信号伝送のための非常に効果的であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信号伝送 ,  電力 ,  媒質 ,  導波路 ,  透過率 ,  SHF【周波数】 ,  *面取 ,  マイクロ波 ,  最適化
準シソーラス用語： 曲げ損失 ,  ベンド ,  有界 ,  基板集積導波路 ,  HFSS ,  *Vバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 導波管,同軸線路  (NC04040N) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (5件)： Vバンド ,  応用 ,  面取り ,  曲がり ,  設計