文献
J-GLOBAL ID:201702215047972990   整理番号:17A1391800

軽負荷と低電流リプルで高効率を得るためのSiC MOSFETを用いた同期ブーストコンバータに適用された異なるモジュール技術【Powered by NICT】

Different Modular Techniques Applied in a Synchronous Boost Converter With SiC MOSFETs to Obtain High Efficiency at Light Load and Low Current Ripple
著者 (4件):
資料名:
巻: 64  号: 10  ページ: 8373-8382  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0234A  ISSN: 0278-0046  CODEN: ITIED6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本論文では,高電圧(400~800V)双方向コンバータ,モジュラマルチレベルコンバータの細胞と電池エネルギー貯蔵システムの相互接続のための使用することを意図し,固体変圧器への分散エネルギー貯蔵能力を提供することに焦点を当てた。本コンバータは軽負荷で高効率,充電と放電過程による低電流リップルを持たなければならない。本研究では,以前の要求を達成するために同期ブーストコンバータへのSiC MOSFETの使用の利点を持っている。最初に,効率を高く保つへの可変スイッチング周波数制御の採用を解析し,第二に,電流リップル低減を提供する異なる制御技術を持つモジュラコンバータの使用も本研究で検討した。,三モジュール(モジュール当り3kW)で作られた,入力並列-出力並列同期ブーストコンバータを用いて,SiC MOSFETの使用の利点を実験的に検証し,異なる制御技術を比較することである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電力変換器 

前のページに戻る