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J-GLOBAL ID：201702215105014244   整理番号：17A1258254

先端接合技術とエネルギー効率の改善によるナノデバイス【Powered by NICT】

Nano-devices with advanced junction engineering and improved energy efficiency

著者 (1件)： Ionescu Adrian M. (Nanolab, Ecole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Station 11, CH-1015 Lausanne, Switzerand)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IWJT  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 21~世紀エレクトロニクスでは,サブ10nm領域におけるMOSFET寸法スケーリングの物理的限界に近づく続けているが,モノのディジタル計算とインターネットのための他の新しい重要な運転者は,研究課題に出現している。これらの中で,デバイスシステムレベルから,ディジタル計算のエネルギー効率電力消費(すなわち情報の計算機ビットあたりに消費されるエネルギー)に直接影響を持っている。最小消費電力は現代のエレクトロニクスに重要であり,電源電圧スケーリング,V_ddと待機両方の動的電力(V_dd~2に比例する)電力,(I_offV_ddに比例し,同等または先端技術ノードの動的電力よりも優勢)V_ddスケーリングに依存するに関係している。2000年初期まで,産業でDennard則(幸福スケーリング時代)に従ってV_ddをスケールすることができ,2000年から2010年までこのプロセスは低下したがCMOS技術における新素材の導入により持続した。しかし,2010後の電圧スケーリングは 0.8Vに近い(Fig.1a)値で飽和。これは従来のエレクトロニクスは障壁を越える電子の熱励起に依存しているという事実のため,熱電圧より何倍も大きい動作電圧,k_BT/q,ディジタルスイッチのための良好なオン-オフ比(>10~5)を維持するために必要とされている。これはMOSFETスイッチといわゆる無接合MOSFETにも適用した。スケールダウンする試みの更なるしきい値電圧,V_th,V_th還元の60mVごとに少なくとも10xのオフ電流,I_off,指数関数的増加を生じる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力 ,  電子技術 ,  電圧 ,  MOSFET ,  消費電力 ,  *エネルギー効率 ,  ディジタル方式 ,  スイッチ ,  指数関数 ,  インターネット
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  スケールダウン ,  CMOS技術 ,  電圧スケーリング ,  *ナノデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： エネルギー消費・省エネルギー  (LD01000B)

タイトルに関連する用語 (2件)： エネルギー効率 ,  ナノデバイス