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J-GLOBAL ID：201702215186849601   整理番号：17A1389385

バンドギャップ傾斜CZTSSe太陽電池の理論的および実験的結果の比較【Powered by NICT】

Comparison of theoretical and experimental results for band-gap-graded CZTSSe solar cell

著者 (4件)： Minbashi Mehran (Faculty of Physics, Semnan University, Semnan, P.O. Box: 35131-19111, Iran) ,  Omrani Mir Kazem (Faculty of Physics, Semnan University, Semnan, P.O. Box: 35131-19111, Iran) ,  Memarian Nafiseh (Faculty of Physics, Semnan University, Semnan, P.O. Box: 35131-19111, Iran) ,  Kim Dae-Hwan (Convergence Research Center for Solar Energy, Daegu Gyeongbuk Institute of Science & Technology (DGIST), Daegu, 42988, South Korea)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 10  ページ： 1238-1243  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CZTSSe太陽電池のシミュレーションを本論文で提示した。シミュレーション結果は実験データと合理的に一致し,シミュレーション結果の信頼性を示した。細胞の機能性を増加させるために提案した新しい構造。改良された機能的性能を裏面電界としてPシリコン(P Si)層を挿入することにより達成した。シミュレーション結果は,このP-Si層を挿入することにより,CZTSSe太陽電池の効率は12.6%から16.59%に増加させることを示唆し,これは顕著な改善である。チャンピオン細胞に対してJ_SC=36.27mA~2V_OC=0.625VおよびFF=73.11%を達成した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電場 ,  シミュレーション ,  *バンドギャップ ,  信頼性 ,  *太陽電池
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  機能性 ,  *CZTSSe , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CZTSSe太陽電池 ,  シミュレーション ,  裏面場 ,  P型シリコン ,  S/(S+Se)重量比

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： バンドギャップ ,  太陽電池 ,  理論 ,  実験