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J-GLOBAL ID：201702215245633614   整理番号：17A1445729

GaAs/AlGaAsポテンシャル井戸障壁ダイオード:検出器とミクサ応用のための新しいダイオード【Powered by NICT】

GaAs/AlGaAs potential well barrier diodes: Novel diode for detector and mixer applications

著者 (4件)： Akura Mise (School of Engineering, Fraser Noble Building, Kings College, University of Aberdeen, AB24 3TS, UK) ,  Dunn Geoffrey (School of Engineering, Fraser Noble Building, Kings College, University of Aberdeen, AB24 3TS, UK) ,  Sexton James (School of Electrical and Electronic Engineering, Sackville Street Building, University of Manchester, M13 9PL, UK) ,  Missous Mohamed (School of Electrical and Electronic Engineering, Sackville Street Building, University of Manchester, M13 9PL, UK)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 10  ページ： ROMBUNNO.201700290  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プレーナドープ障壁(PDB)ダイオードと同様にGaAs/AlGaAs系運転,トラップ電荷の可能性を開拓する井戸が,よりもむしろ固定ドーピングスパイクにおけるヘテロ構造ポテンシャル井戸障壁(PWB)ダイオードは最近実現されたと文献で報告されている。本論文では,これらのデバイスの複雑な動作を解析し,種々の設計パラメータに対する電流-電圧(I V)特性の感度を決定する。PWBダイオードは有意な温度感受性,自然PDB温度依存性への反対を示し,これは温度安定化ハイブリッド設計の可能性を示唆した。井戸内の電荷の活性バイアス依存性性質はデバイスに顕著な影響を及ぼすことが判明し,理想因子,PDBのような他の同等のデバイスよりもバイアス依存性に影響を与える。しかし,同じ機構が電流非対称性の改善の可能性を提供し,この効果はポテンシャルの設計と形状を変化させること,によって大きく改善される。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ダイオード ,  非対称性 ,  温度依存性 ,  *検出器 ,  電流 ,  *ヒ化ガリウム ,  バイアス ,  電圧 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  温度感受性
準シソーラス用語： 理想因子 ,  バイアス依存性 ,  ヘテロ構造 ,  捕獲電荷 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： asymmetry ,  ドリフト-拡散模型 ,  理想因子 ,  ポテンシャル障壁 ,  0バイアス検出

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (9件)： GaAs ,  AlGaAs ,  ポテンシャル ,  井戸 ,  障壁 ,  ダイオード ,  検出器 ,  ミクサ ,  応用