文献

J-GLOBAL ID：201702215286412811   整理番号：17A1115473

有機ヘテロ接合のためのマッピングエネルギー準位【Powered by NICT】

Mapping Energy Levels for Organic Heterojunctions

著者 (4件)： Li Yiying (Department of Materials Science and Engineering, University of Toronto, 184 College Street, Toronto, Ontario, M5S 3E4, Canada) ,  Li Peicheng (Department of Materials Science and Engineering, University of Toronto, 184 College Street, Toronto, Ontario, M5S 3E4, Canada) ,  Lu Zheng-Hong (Department of Materials Science and Engineering, University of Toronto, 184 College Street, Toronto, Ontario, M5S 3E4, Canada) ,  Lu Zheng-Hong (Department of Physics, Yunnan University, Yunnan, 650091, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 24  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機半導体薄膜は1つまたはそれ以上の分子からなる固体物質である。エレクトロニクスとフォトニクスへの応用では,いくつかの異なる機能性有機薄膜を積層した有機発光ダイオードと有機太陽電池などのいろいろな種類の装置を作成した。これら薄膜接合におけるエネルギー準位はホスト-ドーパント系の励起子形成時のこれらの接合を横切る電荷輸送,ドナー-アクセプタ分子界面での励起子解離速度と電荷捕獲のような種々の電子過程を決定した。これら電子過程がデバイスの性能と機能に不可欠である。界面エネルギーレベル,最高被占分子軌道,及び真空準位双極子を支配する一般的な科学的原理を明らかにするために,ここで包括的な実験的研究は,様々なデバイス応用の代表的な有機-有機ヘテロ接合の数十について実施した。界面エネルギー準位に関する実験データマップ,分子配向依存イオン化エネルギーのような補正変数後,Fermiエネルギー,仕事関数,最高被占分子軌道と最低非占有分子軌道のような界面基本的な物理的パラメータに依存して三つの明確な領域から構成されていることが分かった。この一般的なエネルギーマップは,有機半導体デバイスの将来の世代を作製するための新しい材料の選択におけるマスター指針を提供する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： HOMO ,  Fermi準位 ,  ドーパント ,  薄膜 ,  *ヘテロ接合 ,  仕事関数 ,  *エネルギー準位 ,  表面エネルギー ,  励起子 ,  イオン化ポテンシャル ,  界面 ,  有機半導体
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  有機太陽電池 ,  有機薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： エネルギー準位整列 ,  分子配向 ,  有機エレクトロニクス ,  有機ヘテロ接合

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ接合 ,  マッピング ,  エネルギー準位