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J-GLOBAL ID：201702215287534885   整理番号：17A1767354

ZnOバッファ層を有するAlドープZnO薄膜の光応答特性に及ぼすAlドーピング濃度の影響

Efects of Al-Doping Concentration on the Photoresponse Properties of Al-Doped ZnO Thin Films with ZnO Buffer Layer

著者 (2件)： JEON Woosung (Inje Univ., Gyeonsangnam-do, KOR) ,  LEEM Jae-Young (Inje Univ., Gyeonsangnam-do, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 11  ページ： 7879-7882  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾルゲルスピンコーティング法により,酸化亜鉛バッファ層上にAlを0,1,2,3at%ドープしたZnO(AZO)薄膜を作製した。薄膜の構造と形態をX線回折と電界放出走査型電子顕微鏡により調べた。光ルミネセンス(PL)スペクトルでは,Alドーピング濃度の増加に伴い,バンド端近傍及び深準位の発光が低減した。非ドープZnO薄膜と比べ,AlドープZnO薄膜の線形電流電圧特性は高い暗電流と光電流を示し,1at%AlドープZnO薄膜は最高の移動度と最低の電気抵抗率を示し,これらはUV検出器にとって最適な光応答性である。

シソーラス用語： バッファ層 ,  *酸化亜鉛 ,  アルミニウム ,  ドーピング ,  ゾル-ゲル法 ,  スピンコーティング ,  半導体薄膜 ,  *薄膜成長 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  電流電圧特性 ,  キャリア移動度 ,  電気抵抗率 ,  *紫外検出器 ,  暗電流

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  バッファ層 ,  AlドープZnO ,  薄膜 ,  光応答 ,  Al ,  ドーピング