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J-GLOBAL ID：201702215353600285   整理番号：17A0448354

低温一方向成長法によるCe~3+をドープしたスルファミン酸単結晶の光学的放出【Powered by NICT】

Optical emissions of Ce³⁺ doped Sulphamic acid single crystals by low temperature unidirectional growth technique

著者 (8件)： Brahmaji B. (Anil Neerukonda Institute of Tech. and Science Engineering College, Visakhapatnam, 530003, A.P., India) ,  Rajyalakshmi S. (Department of Physics, Adikavi Nannaya University, Rajamahendravaram, A.P., India) ,  Satya Kamal Ch (Crystal Growth and Nanoscience Research Center, Department of Physics, Government College(Autonomous), Rajamahendravaram, A.P., India) ,  Satya Kamal Ch (Department of Physics, Adikavi Nannaya University, Rajamahendravaram, A.P., India) ,  Atla Veerendra (Conn Centre for Renewable Energy Research, University of Louisville, KY, 40292, USA) ,  Veeraiah V. (Department of Physics, Andhra University, Visakhapatnam, India) ,  Venkateswara Rao K. (Centre for Nano Science and Technology, Institute of Science and Technology, JNTUH, Telangana, 500085, India) ,  Ramachandra Rao K. (Crystal Growth and Nanoscience Research Center, Department of Physics, Government College(Autonomous), Rajamahendravaram, A.P., India)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 64  ページ： 100-105  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドープしたスルファミン酸(SA)単結晶セリウムを合成し,成長させたそのセリウムイオン発光の大きなサイズであった。一方向成長した結晶の光ルミネセンス発光は,基底状態の結晶場分裂に起因する,318nm(5D→4F(~2F_5/2,~2F_7/2)に中心をもつ300nmから400nmに広いバンドを持つことが分かった。それぞれの励起スペクトルは273nmにピーク,Ce~3+の5D配置の第一次及び第二励起準位への4f(~2F_5/2)基底状態からの遷移に起因することを示した。減衰曲線の性質は20.12nsの平均減衰寿命(τ_avg)と二指数関数的である。格子パラメータをX線回折分析により決定し,成長した単結晶の結晶完全性を高分解能X線回折(HRXRD)研究により確認した。空格子点欠陥が支配的とCe~3+イオンの取込みによる格子における引張応力を引き起こす。官能基分析とSEM/EDAXをCe~3+イオンは結晶系に組み込まれていることを明らかにした。340nmとそれぞれのバンドギャップで検出されたより低いカットオフ波長は4.6eVと計算された。誘電測定を種々の温度で行い,非線形光学効率は標準カリウム二水素ホスファート(KDP)単結晶のそれの3.5倍として観察された。本研究では,スルファミン酸は光学デバイス応用のためのCe~3+イオン放出を調べるための顕著なホスト材料として作用する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *単結晶 ,  バンドギャップ ,  X線回折分析 ,  基底状態 ,  *低温 ,  発光 ,  *結晶 ,  *ドーピング ,  指数関数 ,  セリウム ,  励起スペクトル ,  *アミド硫酸 ,  格子定数 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： セリウムイオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： セリウムをドープしたスルファミン結晶 ,  一方向成長法 ,  HRXRD ,  FTIR ,  EDAX ,  光ルミネセンス ,  崩壊測定

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温 ,  成長 ,  ドープ ,  スルファミン酸 ,  単結晶 ,  光学 ,  放出