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J-GLOBAL ID：201702215434745672   整理番号：17A1558661

方向性凝固によるシリコン精製中の鉄不純物の分布のためのモデル【Powered by NICT】

A model for distribution of iron impurity during silicon purification by directional solidification

著者 (12件)： Wen Shutao (School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China) ,  Wen Shutao (Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China) ,  Wen Shutao (Department of Industrial Engineering, University of Padova, Padova 35131, Italy) ,  Tan Yi (School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China) ,  Tan Yi (Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China) ,  Yuan Tao (Qingdao Longsun Silicon Technology Co., Ltd, Qingdao 266234, China) ,  Li Pingting (School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China) ,  Li Pingting (Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China) ,  Forzan Michele (Department of Industrial Engineering, University of Padova, Padova 35131, Italy) ,  Jiang Dachuan (School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China) ,  Jiang Dachuan (Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China) ,  Dughiero Fabrizio (Department of Industrial Engineering, University of Padova, Padova 35131, Italy)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 145  ページ： 251-257  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 変動結晶成長速度で一方向凝固によるシリコン精製中の鉄不純物の分布を決定するための理論モデルを提案した。結晶成長速度は通常変動であり,実用的な生産における鉄不純物の分布に大きな影響を持っている。モデルは,工業生産での方向性凝固によるシリコン精製中の鉄不純物の分布による検証と結果は,計算は既存の実験結果と一致することを示した。結果はまた,鉄不純物の分布は結晶成長速度の瞬時値と直接相関していることを示した。方向性凝固によるシリコン精製中の鉄不純物の高変動分布をうまく説明できる。実際の生産におけるモデルの多くの潜在的用途を見出した,変動結晶成長速度と鉄不純物の分布を予測する,生産事故,設計とプロセスパラメータの最適化の影響度を評価し,異なる不純物濃度と原料シリコンの最大収率の評価である。低エネルギー消費とシリコン精製により,この論文の研究に基づいて可能である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *鉄 ,  成長速度 ,  最適化 ,  *不純物 ,  工業生産 ,  不純物濃度 ,  *ケイ素 ,  一方向凝固 ,  プロセスパラメータ
準シソーラス用語： 低エネルギー ,  瞬時値 ,  理論モデル ,  結晶成長速度 ,  *方向性凝固 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： シリコン ,  方向性凝固 ,  不純物の分布 ,  変動成長速度

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 方向性凝固 ,  シリコン ,  精製 ,  鉄 ,  不純物 ,  分布 ,  モデル