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J-GLOBAL ID：201702215497849791   整理番号：17A1251657

トップ表面上のフォトニック結晶を用いた微結晶シリコン太陽電池【Powered by NICT】

Microcrystalline-Silicon Solar Cells With Photonic Crystals on the Top Surface

著者 (6件)： Ishizaki Kenji (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Motohira Akito (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  De Zoysa Menaka (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Tanaka Yoshinori (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Umeda Takami (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Noda Susumu (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7  号： 4  ページ： 950-956  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 上面,フォトニック結晶における大面積共鳴効果を利用する光吸収を増大させるためにフォトニック結晶を用いた微結晶シリコン(μc Si)太陽電池を調べた。表面フォトニック結晶を設計するためのガイドラインを議論し,斜め漏れ損失抑制の重要性を示した。固有μc-Si層(または光起電力層)の直接表面エッチングの影響を研究した,μc-Si層の非晶質および結晶性成分の不均衡エッチングは電子的性能,特に,開回路電圧と曲線因子を劣化させることを示した。は適切なエッチング条件下でフォトニック結晶を導入し,光吸収(または外部量子効率)である共鳴モードへの入射光結合を改善することにより成功裏に増強されることを確認した。最後に,トップ表面上のフォトニック結晶を用いた数μm厚μc-Si太陽電池を作製し,11%の活性領域効率を示し,短絡電流密度の増大に起因するが,開回路電圧と曲線因子の劣化を抑制した。得られた効率は,すべてのn/「i/「p層がSiから構成されているμc-Si太陽電池のカテゴリーに対する報告された最高である,酸化ケイ素などのワイドギャップ材料除外した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ケイ素 ,  *太陽電池 ,  非晶質 ,  酸化ケイ素 ,  *フォトニック結晶 ,  結晶度 ,  光起電力 ,  *微結晶 ,  光吸収 ,  エッチング
準シソーラス用語： 短絡電流密度 ,  外部量子効率 ,  曲線因子 ,  開回路電圧 ,  *シリコン太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： トップ ,  フォトニック結晶 ,  結晶シリコン太陽電池