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J-GLOBAL ID：201702215538638378   整理番号：17A1115461

強誘電性と酸素空格子点マイグレーションからの多不揮発性状態抵抗スイッチング【Powered by NICT】

Multi-Nonvolatile State Resistive Switching Arising from Ferroelectricity and Oxygen Vacancy Migration

著者 (28件)： Lue Weiming (Condensed Matter Science and Technology Institute, Department of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Li Changjian (Department of Material Science & Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117575, Singapore) ,  Li Changjian (NUSNNI-Nanocore, National University of Singapore, Singapore, 117411, Singapore) ,  Zheng Limei (Condensed Matter Science and Technology Institute, Department of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Xiao Juanxiu (Department of Material Science & Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117575, Singapore) ,  Xiao Juanxiu (State Key Laboratory of Marine Resource Utilization in South China Sea, Hainan University, Haikou, 570228, China) ,  Xiao Juanxiu (Department of Mechanical Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117575, Singapore) ,  Lin Weinan (Department of Material Science & Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117575, Singapore) ,  Li Qiang (Condensed Matter Science and Technology Institute, Department of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Wang Xiao Renshaw (School of Physical and Mathematical Sciences & School of Electrical and Electronic Engineering, Nayang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Huang Zhen (NUSNNI-Nanocore, National University of Singapore, Singapore, 117411, Singapore) ,  Zeng Shengwei (NUSNNI-Nanocore, National University of Singapore, Singapore, 117411, Singapore) ,  Han Kun (NUSNNI-Nanocore, National University of Singapore, Singapore, 117411, Singapore) ,  Han Kun (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore, 117571, Singapore) ,  Zhou Wenxiong (NUSNNI-Nanocore, National University of Singapore, Singapore, 117411, Singapore) ,  Zhou Wenxiong (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore, 117571, Singapore) ,  Zeng Kaiyang (Department of Mechanical Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117575, Singapore) ,  Chen Jingsheng (Department of Material Science & Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117575, Singapore) ,  Chen Jingsheng (NUS Graduate School for Integrative Sciences and Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117456, Singapore) ,  Ariando (NUSNNI-Nanocore, National University of Singapore, Singapore, 117411, Singapore) ,  Ariando (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore, 117571, Singapore) ,  Ariando (NUS Graduate School for Integrative Sciences and Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117456, Singapore) ,  Cao Wenwu (Condensed Matter Science and Technology Institute, Department of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Venkatesan Thirumalai (Department of Material Science & Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117575, Singapore) ,  Venkatesan Thirumalai (NUSNNI-Nanocore, National University of Singapore, Singapore, 117411, Singapore) ,  Venkatesan Thirumalai (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore, 117571, Singapore) ,  Venkatesan Thirumalai (NUS Graduate School for Integrative Sciences and Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117456, Singapore) ,  Venkatesan Thirumalai (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117576, Singapore)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 24  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗スイッチング現象は,競合するメモリ技術の基礎を形成する。それらの中で,抵抗スイッチング,酸素空格子点マイグレーション(OVM)に由来する,強誘電スイッチングは二つの有望なアプローチを提供する。酸化膜/ヘテロ構造におけるOVM成形/変形導電性フィラメントによる高/低抵抗状態を示すことができるが,強誘電トンネル接合(FTJs)の抵抗スイッチングは,障壁高さまたは幅変化から生じるが,強誘電分極は非対称電極間に逆転させた。SrTiO_3ベーストンネル接合を用いたBaTiO_3を比較することによってBaTiO_3FTJのOVMと強誘電誘起抵抗スイッチングの共存を実証した。共存多不揮発性抵抗状態を持つ二つの識別可能なループが得られた。一次ループは強誘電スイッチングに起因している。第二ループはSrTiO_3スイッチング電圧に近い電圧で出現し,OVMその起源を示した。制御された酸素空格子点をもつBaTiO_3ベースデバイスはOVMと強誘電トンネルの両方の利点を組み合わせた多状態不揮発性メモリ素子を作製することができた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スイッチング ,  酸化膜 ,  電圧 ,  *強誘電性 ,  不揮発性メモリ ,  非対称性 ,  トンネル接合 ,  *非揮発性
準シソーラス用語： 強誘電分極 ,  障壁高さ ,  ヘテロ構造 ,  強誘電スイッチング ,  *抵抗スイッチング ,  *酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 強誘電トンネル接合 ,  マルチ不揮発性メモリ ,  酸化物界面 ,  酸素空格子点 ,  抵抗スイッチング

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電性 ,  酸素空格子点 ,  マイグレーション ,  不揮発性 ,  抵抗スイッチング