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J-GLOBAL ID：201702215577442630   整理番号：17A0251611

電子照射されたMoS₂単分子層のRamanシフト

Raman Shifts in Electron-Irradiated Monolayer MoS₂

著者 (11件)： PARKIN William M. (Univ. Pennsylvania, Pennsylvania, USA) ,  BALAN Adrian (Univ. Pennsylvania, Pennsylvania, USA) ,  LIANG Liangbo (Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA) ,  LIANG Liangbo (Oak Ridge National Lab., Tennessee, USA) ,  DAS Paul Masih (Univ. Pennsylvania, Pennsylvania, USA) ,  LAMPARSKI Michael (Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA) ,  NAYLOR Carl H. (Univ. Pennsylvania, Pennsylvania, USA) ,  RODRIGUEZ-MANZO Julio A. (Univ. Pennsylvania, Pennsylvania, USA) ,  JOHNSON A. T. Charlie (Univ. Pennsylvania, Pennsylvania, USA) ,  MEUNIER Vincent (Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA) ,  DRNDIC Marija (Univ. Pennsylvania, Pennsylvania, USA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 10  号： 4  ページ： 4134-4142  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透過型電子顕微鏡内の硫化モリブデンの二端子電気伝導率およびRamanスペクトルのその場測定により電子照射による硫黄空孔の影響を検討した。電子照射ドースの増大に伴いRamanスペクトルのE′ピークの赤方偏移およびA₁′ピークの青方偏移が観測された。エネルギー分散X線分光分析および制限視野回折とあわせてS空孔(数%)との相関を確かめた。第一原理計算結果もこれを支持した。

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *電子照射 ,  単分子層 ,  Ramanスペクトル ,  電気伝導率 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *格子欠陥 ,  赤方偏移 ,  青方偏移 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  制限視野回折 ,  第一原理 ,  *スペクトルシフト ,  現場測定
準シソーラス用語： その場測定

分類 (4件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  電子・陽電子との相互作用一般  (BK16051U) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子照射 ,  MoS2 ,  単分子層 ,  Ramanシフト